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기판 상에 전이 금속층을 형성하는 단계; 및상기 전이 금속층이 형성된 기판 상에 플라즈마 처리와 함께 칼코게나이드 함유 기체를 주입하는 단계;를 포함하는,팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전이 금속층은 W, Mo, Cu, Ni, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이 금속층을 형성하는 단계는 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation), RF/DC 스퍼터링, 이온빔 스퍼터링, 화학기상증착(CVD), 저압 화학기상증착(LPCVD), 플라즈마화학기상증착(PECVD), 이온 플레이팅(ion plating) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 의해 수행되는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 칼코게나이드 함유 기체를 주입하는 단계는 100℃ 내지 200℃ 온도 하에 수행되는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드 함유 기체를 캐리어 가스와 함께 주입하는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드 함유 기체는 S, Se, Te 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 칼코젠을 포함하는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드 함유 기체는 10 sccm 내지 30 sccm 이 공급되는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 팔면체 전이금속 디칼코게나이드는 5 nm 내지 10 nm 의 직경을 가지는 나노 결정을 포함하는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 나노 결정은 상기 플라즈마 처리에 의해 크기가 나노 사이즈로 조절된 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀, 금속호일, PEN(poly ethylene naphthalate), PET(poly ethylene terephthalate) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드
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제 11 항에 있어서,상기 팔면체 전이금속 디칼코게나이드는 5 nm 내지 10 nm 의 직경을 가지는 나노 결정을 포함하는 것인, 팔면체 전이금속 디칼코게나이드
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제 11 항에 따른 팔면체 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는, 수소 발생 반응 (HER) 용 전극
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