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하기 화학식1로 표현되는 황화물계 고체전해질
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제1항에 있어서,상기 a는 0
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제1항에 있어서, 아지로다이트형 결정구조를 포함하는 것인 황화물계 고체전해질
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제1항에 있어서,불순물상을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질
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5
제1항에 있어서,20 ℃ ~ 30 ℃에서의 리튬이온 전도도가 13 mS/cm 이상인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질
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6
제1항에 있어서,활성화 에너지가 0
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7
제1항에 있어서,0 ℃ ~ 10 ℃에서의 리튬이온 전도도가 6 mS/cm 이상인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질
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8
Li2S, MbSc (M은 Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 포함, 0 ≤ b ≤ 5, 0 ≤ c ≤ 5), LiX (X는 Cl, Br 및 I로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 할로겐 원소임) 및 Si를 포함하는 출발물질을 준비하는 단계;상기 출발물질을 분쇄하는 단계; 및분쇄물을 열처리하는 단계를 포함하고,하기 화학식1로 표현되는 황화물계 고체전해질의 제조방법
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9
제8항에 있어서,상기 a는 0
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10
제8항에 있어서, 아지로다이트형 결정구조를 포함하는 것인 황화물계 고체전해질의 제조방법
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11
제8항에 있어서,불순물상을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질의 제조방법
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12
제8항에 있어서,20 ℃ ~ 30 ℃에서의 리튬이온 전도도가 13 mS/cm 이상인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질의 제조방법
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13
제8항에 있어서,활성화 에너지가 0
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14
제8항에 있어서,0 ℃ ~ 10 ℃에서의 리튬이온 전도도가 6 mS/cm 이상인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질의 제조방법
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15
제8항에 있어서,상기 출발물질을 볼밀(ball-milling)로 분쇄하되,400 rpm 내지 600 rpm으로 10분 내지 30분 동안 분쇄한 뒤, 30분 내지 50분 동안 방치하는 것을 반복 실시하여 분쇄하는 것인 황화물계 고체전해질의 제조방법
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16
제15항에 있어서,상기 출발물질을 50회 내지 100회 반복 실시하여 분쇄하는 것인 황화물계 고체전해질의 제조방법
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17
제8항에 있어서,상기 분쇄물을 분말 상태로 열처리하는 것인 황화물계 고체전해질의 제조방법
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18
제8항에 있어서,상기 분쇄물을 진공 상태로 열처리하는 것인 황화물계 고체전해질의 제조방법
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19
제8항에 있어서,상기 분쇄물을 400 ℃ 내지 600 ℃의 온도에서 3시간 내지 10시간 동안 열처리하는 것인 황화물계 고체전해질의 제조방법
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20
제19항에 있어서,상기 분쇄물의 열처리를 위해 상온으로부터 400 ℃ 내지 600 ℃의 온도로 1 ℃/min 내지 5 ℃/min의 승온 속도로 가열하는 것인 황화물계 고체전해질의 제조방법
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