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기저층 상에 적층되는 도전성 나노 입자들; 및각 도전성 나노 입자의 표면에 위치하는 단분자 리간드를 포함하되,상기 단분자 리간드는 단분자 물질을 포함하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 도전성 나노 입자들은 투명한 금속 산화물을 포함하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 단분자 물질은 아민기 함유 단분자 물질인 투명 전극
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제 3 항에 있어서,상기 단분자 리간드는 하이드라진(Hydrazine), 트리스(2-아미노에틸)아민(tris(2-aminoethyl)amine) 및 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine)으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 기저층은 아민기 함유 고분자 물질을 포함하는 투명 전극
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제 5 항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리에틸렌이민(polyethylenimine)을 포함하는 투명 전극
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제 5 항에 있어서,상기 기저층의 표면에 위치하는 기저 리간드들을 포함하되,각 기저 리간드는 상기 도전성 나노 입자들 중 하나와 결합하는 투명 전극
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제 7 항에 있어서,상기 기저 리간드들은 상기 기저층과 동일한 물질을 포함하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 도전성 나노 입자들은 다층 구조를 갖되,각 층에서 인접한 도전성 나노 입자들 사이의 제 1 거리는 동일한 투명 전극
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제 9 항에 있어서,인접한 두 층의 도전성 나노 입자들 사이의 제 2 거리는 상기 제 1 거리보다 작은 투명 전극
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기저층을 형성하는 단계;표면에 고분자 리간드가 위치하는 도전성 나노 입자들로 이루어진 제 1 예비 나노 입자층을 상기 기저층 상에 형성하는 단계;상기 제 1 예비 나노 입자층에서 상기 고분자 리간드를 단분자 리간드로 치환하여 제 1 나노 입자층을 형성하는 단계;표면에 고분자 리간드가 위치하는 도전성 나노 입자들로 이루어진 제 2 예비 나노 입자층을 상기 제 1 나노 입자층 상에 형성하는 단계; 및상기 제 2 예비 나노 입자층에서 상기 고분자 리간드를 단분자 리간드로 치환하여 제 2 나노 입자층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 고분자 리간드는 고분자 물질을 포함하고, 상기 단분자 리간드는 단분자 물질을 포함하는 투명 전극의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 나노 입자층을 형성하는 단계 및 상기 제 2 나노 입자층을 형성하는 단계는 아민기 함유 단분자 물질이 분산된 분산액에 상기 기저층을 침지하는 단계를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 나노 입자층 및 상기 제 2 나노 입자층을 열처리 하는 단계를 더 포함하는 투명 전극의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 열처리 공정은 300℃ 내지 400℃에서 수행되는 투명 전극의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 기저층은 소자 기판 상에 형성되되,상기 기저층을 형성하는 단계는 고분자 물질이 분산된 분산액에 상기 소자 기판을 침지하는 단계를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 기저층은 상기 고분자 리간드와 다른 물질로 형성되는 투명 전극의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 기저층을 형성하는 단계는 고분자 물질로 상기 기저층의 표면에 상기 제 1 예비 나노 입자층의 상기 도전성 나노 입자들과 결합하는 기저 리간드들을 형성하는 단계를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 소자 기판은 곡률을 갖는 투명 전극의 제조 방법
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