맞춤기술찾기

이전대상기술

히트파이프 및 히트파이프 제조방법

  • 기술번호 : KST2021012958
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 열원 및 방열체 사이에 설치되어, 내부에 작동유체가 순환하는 중공형상의 관체; 및 상기 관체의 내벽에 순차적으로 적층하여 코팅되고, 상기 작동유체가 열원으로 유동되게 하는 적어도 일조의 다공층을 포함하고, 상기 일조의 다공층은, 제1 분산액 및 제2 분산액 중 어느 하나의 분산액을 코팅하여 형성된 제1 코팅층 및 상기 제1 코팅층 위에 다른 하나의 분산액을 코팅하여 형성된 제2 코팅층을 포함하고, 상기 제1 분산액은, 일 전하를 띄는 금속산화물 나노입자를 포함하고,상기 제2 분산액은, 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 금속산화물 나노입자 또는 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 히트파이프로써, 제조공정이 단순하고, 크기, 부피, 배치 및 형태 드엥 구애받지 않고 모세관력을 증가시킬 수 있으며, 구조를 변형하여도 성능 감소율이 적은 효과가 있다.
Int. CL F28D 15/04 (2006.01.01) F28F 21/02 (2006.01.01) F28F 13/18 (2006.01.01) H05K 7/20 (2006.01.01) C09D 5/02 (2006.01.01)
CPC F28D 15/046(2013.01) F28F 21/02(2013.01) F28F 13/185(2013.01) H05K 7/20336(2013.01) C09D 5/027(2013.01) F28F 2255/20(2013.01)
출원번호/일자 1020200054008 (2020.05.06)
출원인 엘지전자 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0135850 (2021.11.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정민우 서울특별시 금천구
2 이한춘 서울특별시 금천구
3 김세현 서울특별시 금천구
4 김봉준 서울특별시 금천구
5 최원준 서울특별시 서초구
6 이재민 경기도 평택시
7 경대현 서울특별시 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로**길 ** 태화빌딩 *층(팍스국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0458879-41
2 보정요구서
Request for Amendment
2020.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0065504-22
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-0467459-90
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
열원 및 방열체 사이에 설치되어, 내부에 작동유체가 순환하는 중공형상의 관체;상기 관체의 내벽에 배치되어, 상기 작동유체가 열원으로 유동하게 하는 윅(wick); 및상기 윅의 표면에 순차적으로 적층하여 코팅되는 적어도 일조의 다공층을 포함하고,상기 일조의 다공층은, 제1 분산액 및 제2 분산액 중 어느 하나의 분산액을 코팅하여 형성된 제1 코팅층 및 상기 제1 코팅층 위에 다른 하나의 분산액을 코팅하여 형성된 제2 코팅층을 포함하고,상기 제1 분산액은, 일 전하를 띄는 금속산화물 나노입자를 포함하고,상기 제2 분산액은, 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 금속산화물 나노입자 또는 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 히트파이프
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는, 산화아연 나노입자(ZnO nanoparticle)인 히트파이프
3 3
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는, 카르복실기가 부착된 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT-COOH)인 히트파이프
4 4
열원 및 방열체 사이에 설치되어, 내부에 작동유체가 순환하는 중공형상의 관체; 및상기 관체의 내벽에 순차적으로 적층하여 코팅되고, 상기 작동유체가 열원으로 유동되게 하는 적어도 일조의 다공층을 포함하고,상기 일조의 다공층은, 제1 분산액 및 제2 분산액 중 어느 하나의 분산액을 코팅하여 형성된 제1 코팅층 및 상기 제1 코팅층 위에 다른 하나의 분산액을 코팅하여 형성된 제2 코팅층을 포함하고,상기 제1 분산액은, 일 전하를 띄는 금속산화물 나노입자를 포함하고,상기 제2 분산액은, 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 금속산화물 나노입자 또는 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 히트파이프
5 5
제 4 항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는, 산화아연 나노입자(ZnO nanoparticle)인 히트파이프
6 6
제 4 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는, 카르복실기가 부착된 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT-COOH)인 히트파이프
7 7
제 4 항에 있어서,상기 관체는,절곡된 부분을 포함하고,상기 적어도 일조의 다공층은, 절곡된 부분의 내벽에 코팅되는 히트파이프
8 8
내부에 작동유체가 순환하는 중공형상의 관체를 포함하는 히트파이프를 제조방법에 있어서,상기 관체의 내벽에 제1 분산액 및 제2 분산액 중 어느 하나의 분산액을 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 제1 코팅단계; 및상기 제1 코팅층 위에 다른 하나의 분산액을 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 제2 코팅단계; 를 포함하고,상기 제1 분산액은, 일 전하를 띄는 금속산화물 나노입자를 포함하고,상기 제2 분산액은, 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 금속산화물 나노입자 또는 상기 일 전하와 다른 전하를 띠는 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 히트파이프 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는, 산화아연 나노입자(ZnO nanoparticle)인 히트파이프 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 부착된 탄소나노튜브는, 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT-COOH)인 히트파이프 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 제1 코팅단계 이후 및 제2 코팅단계 이후 중 적어도 어느 하나의 단계에서, 코팅으로 결합되지 못한 잔여물을 탈이온수(Deionized water)수로 세척하는 세척단계를 더 포함하는 히트파이프 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,필요한 코팅 두께를 충족하도록 기 수행된 단계를 반복 수행하는 히트파이프 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.