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전극 상에 그래핀을 전사하는 단계;상기 그래핀이 전사된 전극 상에 전이금속 층을 증착하는 단계; 및상기 전이금속 층이 증착된 전극 상에 플라즈마 처리된 황(S)을 포함하는 기체를 주입하는 단계;를 포함하는,전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 층은 W, Mo, Cu, Ni, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전극은 유리질 탄소 전극(Glassy Carbon Electrode, GCE), 전도성 고분자 전극, 금전극, 백금전극, 탄소전극, 또는 붕소 도핑 다이아몬드 전극(Boron Doped Diamond Electrode, BDDE)인 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 화학기상증착법으로 합성된 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 층을 증착하는 단계는 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation), RF/DC 스퍼터링, 이온빔 스퍼터링, 화학기상증착(CVD), 저압 화학기상증착(LPCVD), 플라즈마화학기상증착(PECVD), 이온 플레이팅(ion plating) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 의해 수행되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 황(S)을 포함하는 기체는 황화수소(H2S)를 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 황(S)을 포함하는 기체를 주입하는 단계는 100℃ 내지 200℃ 온도 하에 수행되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 황(S)을 포함하는 기체를 캐리어 가스와 함께 주입하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 황(S)을 포함하는 기체는 1 sccm 내지 20 sccm 이 공급되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극은 황 공극을 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 황 공극은 전이금속 디칼코게나이드 및 그래핀의 격자구조 차이에 의해 형성되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극 제조 방법
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제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극
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제 12 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극은 황 공극을 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극
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제 13 항에 있어서,상기 황 공극은 전이금속 디칼코게나이드 및 그래핀의 격자구조 차이에 의해 형성되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극
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제 12 항에 따른 전이금속 디칼코게나이드-그래핀 이종접합 전극을 포함하는 수소 발생 반응(HER)용 촉매
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