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1) 제1물질층과 제2물질층이 동시에 노출되어 미스얼라인이 발생된 기판을 제공하는 단계;2) 제1물질층 또는 제2물질층 중 어느 하나가 실리콘층인 경우 O2와 H2 가스를 이용하여 실리콘층을 선택적으로 산화시켜 실리콘 산화막을 형성하는 단계;3) 상기 실리콘 산화막에 자기조립단분자막(Self-Assembled Monolayer, SAM)을 흡착시키는 단계;4) 실리콘층 이외의 물질층 상에 실리콘질화막(SixNy)을 증착시키는 단계;5) 상기 자기조립단분자막을 포함하는 실리콘 산화막을 에칭 공정에 의하여 제거하는 단계를 포함하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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제1항에 있어서,상기 2) 단계에서, 온도는 750 ~ 950℃이고, 총 기체에 대한 상기 O2 가스의 기체분압은 5 ~ 20%인 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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제1항에 있어서,상기 자기조립단분자막은 DMADMS-비스(디메틸아미노)디메틸실란(Bis(dimethylamino)dimethylsilane) 또는 DMATMS-(디메틸아미노)트리메틸실란((Dimethylamino)trimethylsilane)를 흡착시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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제1항에 있어서,상기 3) 단계 및 4) 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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제1항에 있어서,상기 자기조립단분자막으로 흡착된 실리콘 산화막은 표면의 물 접촉각은 80 ~ 90°인 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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제1항에 있어서,상기 3) 단계는 기판의 온도가 600℃ 이하이며, 상기 4) 단계 공정 온도와 동일한 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 실리콘질화막(SixNy)을 형성시키기 위한 전구제는 실란(silane; SiH4), 디클로로실란(dichlorosil ane; SiCl2H2), 디실란(disilane; Si2H6) 또는 TEOS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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9
제1항에 있어서,상기 단계 5) 이후에 셀 접촉(Cell Contact)을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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제1항 내지 제6항 및 제8항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메모리 소자는 DRAM(Dynamic random-access memory)인 것을 특징으로 하는 선택적 증착에 의한 메모리 소자 결함 회복 방법
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