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하부 전극 상에 형성된 저항 변화층; 및 상기 저항 변화층 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 저항 변화층은 페로브스카이트 결정구조를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 것인, 뉴로모픽 멤리스터 소자
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제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은 수직 배향 나노구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자:[화학식 1](R1-NH3)2An-1BnX3n+1(상기 화학식 1 에서,A는, R2-NH3 또는 알칼리 금속 양이온이고,B는, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, In, Tl, Ge, Cd, Hf, Sn, Bi, 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 양이온을 포함하는 것이며,R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-24의 치환된 또는 비치환된 알킬기 또는 C1-24의 치환된 또는 비치환된 아릴기이고,X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것이며,n은 2 이상의 정수인 것임)
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제3항에 있어서,상기 R1-NH3의 크기는 상기 A에 포함되는 R2-NH3 또는 알칼리 금속 양이온과 비교하여 더 큰 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자
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제3항에 있어서,상기 R1-NH3는 부틸아민, 페네틸아민 및 헥세닐아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자
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제3항에 있어서,상기 알칼리 금속 양이온은 Rb, Cs, K, Mg, Ca, Sr, 및 Ba으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 알칼리 금속 양이온인 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자
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제3항에 있어서,상기 X는 F, Cl, Br, I, S 및 Se으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소인 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자
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하부 전극 상에 저항 변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항 변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 저항 변화층은 유기 금속 할라이드를 포함하는 용액을 코팅하여 형성된 것인, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 저항 변화층은 수직 배향 나노구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법:[화학식 1](R1-NH3)2An-1BnX3n+1 (상기 화학식 1 에서,A는, R2-NH3 또는 알칼리 금속 양이온이고,B는, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, In, Tl, Ge, Cd, Hf, Sn, Bi, 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 양이온을 포함하는 것이며,R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-24의 치환된 또는 비치환된 알킬기 또는 C1-24의 치환된 또는 비치환된 아릴기이고,X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것이며,n은 2 이상의 정수인 것임)
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제10항에 있어서,상기 R1-NH3의 크기는 상기 A에 포함되는 R2-NH3 또는 알칼리 금속 양이온과 비교하여 더 큰 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 R1-NH3는 부틸아민, 페네틸아민 및 헥세닐아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 알칼리 금속 양이온은 Rb, Cs, K, Mg, Ca, Sr, 및 Ba으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 알칼리 금속 양이온인 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 X는 F, Cl, Br, I, S 및 Se으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소인 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 용액은 음이온성 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 음이온성 첨가제는 슈도할라이드 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 멤리스터 소자의 제조 방법
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