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제1 기판 상에 그래핀층을 성장시키는 단계;상기 그래핀층 상에 수용성 지지층을 형성하는 단계;상기 수용성 지지층 상에 코팅층을 형성하는 단계;상기 코팅층 상에 열박리 테이프를 부착하는 단계;상기 제1 기판으로부터 그래핀층, 수용성 지지층, 코팅층 및 열박리 테이프를 분리하는 단계;상기 분리된 그래핀층, 수용성 지지층, 코팅층 및 열박리 테이프를 제2 기판으로 전사하는 단계; 그리고상기 제2 기판으로부터 수용성 지지층, 코팅층 및 열박리 테이프를 제거하는 단계;를 포함하는 그래핀 전사 방법
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제1항에 있어서,상기 수용성 지지층은 삼산화 몰리브덴(MoO3), 삼산화 텅스텐(WO3), 염화 나트륨(NaCl), 산화 마그네슘(MgO), 산화 아연(ZnO) 및 산화 티타늄(TiO2) 중 적어도 하나를 이용하여 형성된 것인 그래핀 전사 방법
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제1항에 있어서,상기 수용성 지지층을 형성하는 단계 후에 열처리 단계를 더 포함하는 그래핀 전사 방법
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제3항에 있어서,상기 열처리 단계는 50℃ 내지 500℃ 범위에서 40분 내지 80분 동안 수행되는 그래핀 전사 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅층은 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리바이닐 알코올(PVA) 및 폴리에테르아미르(PEI) 중 적어도 하나를 이용하여 형성된 것인 그래핀 전사 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 기판으로부터 수용성 지지층, 코팅층 및 열박리 테이프를 제거하는 단계에서, 상기 열박리 테이프의 제거는, 100℃ 내지 150℃ 범위의 온도를 가하여 수행되는 그래핀 전사 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 기판으로부터 수용성 지지층, 코팅층 및 열박리 테이프를 제거하는 단계에서, 상기 코팅층의 제거는, 유기 용매를 이용하여 수행되는 그래핀 전사 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 기판으로부터 수용성 지지층, 코팅층 및 열박리 테이프를 제거하는 단계에서, 상기 수용성 지지층의 제거는, 물속에 침지시켜 수행되는 그래핀 전사 방법
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