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고분자 마이크로 입자를 이용한 페로브스카이트 광 검출기 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022001853
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 마이크로 입자를 이용한 페로브스카이트 광 검출기 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 전사(transfer printing)된 고분자 마이크로 입자들을 포함함으로써 광 응답감도 및 검출감도와 같은 광 검출 성능이 향상되고, 전방위적으로 광 응답성이 개선되며, 수분 및 산소 침투가 차단되어 안정성이 강화됨과 더불어, 기계적인 내구성, 유연성 및 복원성도 향상된다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01) C07F 7/24 (2006.01.01)
CPC H01L 51/422(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/0001(2013.01) C07F 7/24(2013.01)
출원번호/일자 1020200114522 (2020.09.08)
출원인 한국과학기술연구원, 숙명여자대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2362528-0000 (2022.02.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.09.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 숙명여자대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 용산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강구민 서울특별시 성북구
2 박민우 서울특별시 용산구
3 오희윤 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인영비 대한민국 서울 강남구 테헤란로**길 **-*,벧엘빌딩 *층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
2 숙명여자대학교산학협력단 서울특별시 용산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-0950025-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0010383-83
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.07.14 수리 (Accepted) 4-1-2021-5191832-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0770208-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1378382-76
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-1378383-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2022.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0049492-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 서로 이격되어 배치된 한 쌍의 전극;상기 기판과 전극을 덮도록 배치된 페로브스카이트(perovskite)층;상기 페로브스카이트층을 덮도록 배치된 점착성 고분자층; 및상기 점착성 고분자층 상에 배치되며 상기 점착성 고분자층에 일부분이 매립된 고분자 마이크로 입자들을 포함하되,상기 점착성 고분자층은 PMMA[Poly(methylmethacrylate)]를 포함하고,상기 고분자 마이크로 입자들이 상기 점착성 고분자층에 매립된 깊이는 2-300 nm이며, 상기 고분자 마이크로 입자들의 입도는 300 nm 이상이고,상기 고분자 마이크로 입자들은 상기 점착성 고분자층 상에서 단층(monolayer)을 이루는페로브스카이트 광 검출기
2 2
제1 항에 있어서,상기 고분자 마이크로 입자들은 폴리스티렌(Polystyrene; PS) 입자들인페로브스카이트 광 검출기
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 기판은 NOA 63(Norland Optical Adhesive 63)을 포함하는페로브스카이트 광 검출기
5 5
NOA 63 필름; 및 상기 NOA 63 필름 상에 배치된 복수의 광 검출 유닛을 포함하되, 각각의 상기 광 검출 유닛은, NOA 63 필름 상에 서로 이격되어 배치된 한 쌍의 전극; 상기 한 쌍의 전극 사이에 상기 NOA 63 필름을 덮도록 배치된 페로브스카이트층; 상기 페로브스카이트층을 덮도록 배치된 점착성 고분자층; 및 상기 점착성 고분자층 상에 배치되며 상기 점착성 고분자층에 일부분이 매립된 고분자 마이크로 입자들을 포함하고,상기 점착성 고분자층은 PMMA[Poly(methylmethacrylate)]를 포함하고,상기 고분자 마이크로 입자들이 상기 점착성 고분자층에 매립된 깊이는 2-300 nm이며, 상기 고분자 마이크로 입자들의 입도는 300 nm 이상이고,상기 고분자 마이크로 입자들은 상기 점착성 고분자층 상에서 단층(monolayer)을 이루는대면적 페로브스카이트 광 검출기
6 6
삭제
7 7
기판 상에 한 쌍의 전극을 서로 이격하여 형성하는 단계;상기 기판과 전극을 덮도록 페로브스카이트층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트층을 덮도록 점착성 고분자층을 형성하는 단계; 및탄성 고분자 기판의 일면에 배열된 고분자 마이크로 입자들을 상기 점착성 고분자층의 상면에 접촉시켜 상기 점착성 고분자층에 전사(transfer printing)하는 단계를 포함하는 페로브스카이트 광 검출기의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 전사 단계는,한 쌍의 탄성 고분자 기판 사이에 상기 고분자 마이크로 입자의 파우더를 놓고 상기 탄성 고분자 기판을 일정한 방향으로 문질러서 상기 고분자 마이크로 입자들을 배열시키는 단계;상기 점착성 고분자층의 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 상기 탄성 고분자 기판의 상기 고분자 마이크로 입자들이 배열된 면을 상기 점착성 고분자층에 얹고 압력을 가하는 단계; 및상기 탄성 고분자 기판을 제거하는 단계를 포함하는페로브스카이트 광 검출기의 제조 방법
9 9
제7 항에 있어서,상기 점착성 고분자층은 PMMA[Poly(methylmethacrylate)]를 포함하거나,상기 고분자 마이크로 입자들은 폴리스티렌(Polystyrene; PS) 입자들이거나,상기 탄성 고분자 기판은 PDMS[Poly(dimethylsiloxane)]를 포함하는페로브스카이트 광 검출기의 제조 방법
10 10
NOA 63(Norland Optical Adhesive 63)을 웨이퍼에 코팅한 후 박리하는 단계; 및상기 박리된 NOA 63 필름 상에 복수의 광 검출 유닛을 형성하는 단계를 포함하되,각각의 상기 광 검출 유닛은 NOA 63 필름 상에 한 쌍의 전극을 서로 이격하여 형성하는 단계, 상기 한 쌍의 전극 사이에 상기 NOA 63 필름을 덮도록 페로브스카이트층을 형성하는 단계, 상기 페로브스카이트층을 덮도록 점착성 고분자층을 형성하는 단계 및 고분자 마이크로 입자들을 상기 점착성 고분자층에 전사하는 단계를 통해 형성하는대면적 페로브스카이트 광 검출기의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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4 과학기술정보통신부 인하대학교 집단연구지원(R＆D) 분자 스프링 기반 인공 근섬유 모사 기초연구실