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공통 입력 포트에 공통으로 연결된 제1 및 제2 직렬 스위칭 소자를 포함하는 직렬 스위칭부; 및상기 공통 입력 포트와 제1 출력 포트를 연결하는 제1 신호 경로와 상기 공통 입력 포트와 제2 출력 포트를 연결하는 제2 신호 경로에 병렬 연결된 복수의 션트 스위칭 소자들을 포함하는 션트 스위칭부를 포함하고,상기 제1 및 제2 직렬 스위칭 소자의 게이트 단자에 제1 및 제2 인덕터가 각각 연결된 것을 특징으로 하는 SPDT 스위치
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제1항에서,상기 제1 및 제2 인덕터는,상기 제1 및 제2 직렬 스위칭 소자의 게이트 누설 전류에 의해 상기 제1 및 제2 직렬 스위칭 소자의 게이트 단자에서 발생하는 전압 강하를 방지하기 위한 용도로 사용되는 것인 SPDT 스위치
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제1항에서,상기 제1 및 제2 인덕터는,기판 상에서 사각 나선형의 평면 인덕터(rectangular spiral planar inductor)로 구현된 것인 SPDT 스위치
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제1항에서,상기 복수의 션트 스위칭 소자들의 게이트 단자에는 저항이 연결되는 것인 SPDT 스위치
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제4항에서,상기 저항은,기판 상에서 지그재그 형태의 라인으로 연장되는 박막 저항(Thin Film Resistor: TFR)인 것인 SPDT 스위치
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제1항에서, 상기 제1 및 제2 직렬 스위칭 소자 각각의 게이트 핑거의 수는 상기 복수의 션트 스위칭 소자들 각각의 게이트 핑거의 수보다 큰 것인 SPDT 스위치
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제1항에서,상기 제1 및 제2 직렬 스위칭 소자와 상기 복수의 션트 스위칭 소자들은,질화 갈륨(Gallium Nitride) 계열의 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)인 것인 SPDT 스위치
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제1항에서,상기 션트 스위칭부는,상기 제1 신호 경로에 병렬 연결된 제1 션트 스위칭 소자와 상기 제2 신호 경로에 병렬 연결된 제2 션트 스위칭 소자를 포함하는 제1 션트 스위칭부; 및 상기 제1 신호 경로에 추가로 병렬 연결된 제3 션트 스위칭 소자와 상기 제2 신호 경로에 추가로 병렬 연결된 제4 션트 스위칭 소자를 포함하는 제2 션트 스위칭부를 포함하는 SPDT 스위치
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제8항에서,상기 제1 신호 경로에 병렬 연결된 상기 제1 션트 스위칭 소자와 상기 제3 션트 스위칭 소자는 제3 인덕터에 의해 연결되고,상기 제2 신호 경로에 병렬 연결된 상기 제2 션트 스위칭 소자와 상기 제4 션트 스위칭 소자는 제4 인덕터에 의해 연결되는 것인 SPDT 스위치
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제9항에서,상기 제1 션트 스위칭 소자, 상기 제3 션트 스위칭 소자 및 상기 제3 인덕터는, 상기 제1 신호 경로를 통해 전달되는 입력 신호에 대한 저역 통과 필터로 동작하고,상기 제2 션트 스위칭 소자, 상기 제4 션트 스위칭 소자 및 상기 제4 인덕터는, 상기 제1 신호 경로를 통해 전달되는 입력 신호에 대한 저역 통과 필터로 동작하는 것인 SPDT 스위치
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