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입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법

  • 기술번호 : KST2022002066
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 금속 나노입자층 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노입자층 제조방법은, 소정의 금속 나노입자 기준 크기 보다 목표 증착 입자 크기가 더 큰 경우, 챔버에서 진공 상태로 스퍼터링법을 이용하여 기판상에 금속 나노입자를 증착하여 금속 나노입자층을 형성하는 단계; 상기 금속 나노입자 크기가 상기 목표 증착 크기에 도달할 때까지 상기 금속 나노입자가 증착된 기판을 소정의 시간 동안 대기 중에 노출시켜 상기 증착된 금속 나노입자 크기를 증가시키는 대기 노출 단계; 및 챔버에서 진공 상태로 스퍼터링법을 이용하여, 상기 대기 노출 단계를 거친 상기 금속 나노입자층 상에 금속 나노입자를 추가 증착하는 금속 나노입자 추가 증착 단계;를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 스퍼터링 조건, 대기 노출 시간 및 증착 두께를 제어함으로써, 증착되는 금속 나노입자 크기를 제어하여 원하는 사이즈의 금속 나노입자 크기를 갖는 금속 나노입자층을 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/14 (2006.01.01) C23C 14/10 (2006.01.01) C23C 14/22 (2006.01.01)
CPC C23C 14/34(2013.01) C23C 14/3464(2013.01) C23C 14/58(2013.01) C23C 14/14(2013.01) C23C 14/10(2013.01) C23C 14/228(2013.01)
출원번호/일자 1020200100753 (2020.08.11)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0020479 (2022.02.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.08.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호년 인천 남구
2 황세훈 인천광역시 남동구
3 김현종 경기도 용인시 수지구
4 박영민 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0844972-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.03.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0012705-73
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번호 청구항
1 1
소정의 금속 나노입자 기준 크기 보다 목표 증착 입자 크기가 더 큰 경우, 챔버에서 진공 상태로 스퍼터링법을 이용하여 기판상에 금속 나노입자를 증착하여 금속 나노입자층을 형성하는 단계;상기 금속 나노입자 크기가 상기 목표 증착 크기에 도달할 때까지 상기 금속 나노입자가 증착된 기판을 소정의 시간 동안 대기 중에 노출시켜 상기 증착된 금속 나노입자 크기를 증가시키는 대기 노출 단계; 및챔버에서 진공 상태로 스퍼터링법을 이용하여, 상기 대기 노출 단계를 거친 상기 금속 나노입자층 상에 금속 나노입자를 추가 증착하는 금속 나노입자 추가 증착 단계;를 포함하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 나노입자 증착 단계에서의 상기 금속 나노입자는, 은인 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 나노입자 증착 단계에서 증착되는 상기 금속 나노입자층은, 두께 50nm 내지 10μm로 증착되는 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 나노입자 추가 증착 단계 이후에, 상기 대기 노출 단계 및 상기 금속 나노입자 추가 증착 단계는 소정의 횟수로 반복 수행될 수 있는 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
5 5
단일 금속 타겟을 이용하는 스퍼터링법을 통해 증착되는 소정의 금속 나노입자 기준 크기 보다 목표 증착 입자 크기가 더 작은 경우, 금속 나노입자를 작게 증착하기 위하여 챔버에서 진공 상태로 동시 스퍼터링법을 이용하여 기판상에 금속 나노입자를 증착하여 금속 나노입자층을 형성하는 단계;상기 형성 단계에서 작게 증착된 상기 금속 나노입자가 상기 목표 증착 크기에 도달할 때까지 상기 금속 나노입자가 증착된 기판을 소정의 시간 동안 대기 중에 노출시켜 상기 증착된 금속 나노입자 크기를 증가시키는 대기 노출 단계; 및챔버에서 진공 상태로 스퍼터링법을 이용하여, 상기 대기 노출 단계를 거친 상기 금속 나노입자층 상에 금속 나노입자를 추가 증착하는 금속 나노입자 추가 증착 단계;를 포함하고,상기 동시 스퍼터링법은, 금속을 타겟으로 하여 스퍼터링하는 제1스퍼터링건을 이용하여 증착된 금속 나노입자 상에, 유전체를 타겟으로 하여 스퍼터링 하는 제2스퍼터링건을 이용하여 유전체 층을 증착하는 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 금속 나노입자 증착 단계에서의 상기 금속 나노입자는, 은인 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 유전체는, SiO2, BaO 및 Al2O3으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
8 8
단일 금속 타겟을 이용하는 스퍼터링법을 통해 증착되는 소정의 금속 나노입자 기준 크기 보다 목표 증착 입자 크기가 더 작은 경우, 금속 나노입자를 작게 증착하기 위하여 챔버에서 진공 상태로 합금 타겟 스퍼터링법을 이용하여 기판상에 금속 나노입자를 증착하여 금속 나노입자층을 형성하는 단계;상기 형성 단계에서 작게 증착된 상기 금속 나노입자가 상기 목표 증착 크기에 도달할 때까지 상기 금속 나노입자가 증착된 기판을 소정의 시간 동안 대기 중에 노출시켜 상기 증착된 금속 나노입자 크기를 증가시키는 대기 노출 단계; 및챔버에서 진공 상태로 스퍼터링법을 이용하여, 상기 대기 노출 단계를 거친 상기 금속 나노입자층 상에 금속 나노입자를 추가 증착하는 금속 나노입자 추가 증착 단계;를 포함하고,상기 합금 타겟을 이용한 스퍼터링법은, 은을 포함하는 합금을 타겟으로 하여 스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
9 9
제5항 및 제8항에 있어서,상기 금속 나노입자 증착 단계에서 증착되는 상기 금속 나노입자층은, 두께 50nm 내지 10μm로 증착되는 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
10 10
제5항 및 제8항에 있어서,상기 금속 나노입자 추가 증착 단계 이후에, 상기 대기 노출 단계 및 상기 금속 나노입자 추가 증착 단계는 소정의 횟수로 반복 수행될 수 있는 것을 특징으로 하는 입자 크기 제어를 통한 금속 나노입자층 제조방법
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