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광학 소자에 있어서, 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극 - 상기 제1 게이트 전극으로부터 하나 이상의 제1 게이트 가지가 연장되고, 상기 제2 전극으로부터 하나 이상의 제2 게이트 가지가 연장됨; 상기 제1 및 제2 게이트 가지 상에 형성된, 2차원 물질로 이루어진 채널층; 상기 제1 및 제2 게이트 가지와 채널층 사이에 형성된 절연층; 및 상기 채널층 상에 형성된 드래인 전극 및 소스 전극을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 게이트 가지 및 하나 이상의 제2 게이트 가지는 서로 교차 배열되는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 게이트 가지 및 하나 이상의 제2 게이트 가지는 비 대칭적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극 중 적어도 하나에 게이트 전압이 인가되는 경우, 채널층의 게이트 영역은 n형 또는 p형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제4항에 있어서, 상기 채널층 내 인접한 게이트 영역은 서로 상이한 유형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 가지 사이의 유격(gap)은 유격을 이루는 상기 제1 및 제2 게이트 가지의 너비 보다 얇은 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제1항에 있어서,상기 채널층은 빛이 조사되면 광전류를 생성하는 흡광 영역을 포함하며, 상기 흡광 영역은 공핍층의 적어도 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제7항에 있어서, 상기 흡광 영역은 채널 중심 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제7항에 있어서,상기 광전류의 세기는 상기 채널층에 형성되는 채널의 길이, 빛의 세기, 소스 전압, 드레인 전압, 및 게이트 전압 중 적어도 하나에 의존하는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제9항에 있어서,상기 채널의 길이가 1um 내지 10um로 형성되는 광학 소자
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제9항에 있어서, 상기 드레인 전극 및 소스 전극이 복수인 경우, 상기 복수의 드레인 전극 및 소스 전극 사이에 형성된 복수의 채널은 일부 채널과 다른 일부 채널을 포함하며, 상기 일부 채널과 다른 일부 채널의 채널 길이는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 2차원 물질은 WSe2, MoTe2, MoSe2, 및 BP(Black Phosphorus) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 채널층 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는 광학 소자
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제13항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 절연층 보다 더 얇은 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제13항에 있어서, 상기 절연층 및 패시베이션층은 h-BN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 광학 소자는 포토 디텍터로 동작하는 것을 특징으로 하는 광학 소자
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