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파장가변 레이저 다이오드
- 기술번호 : KST2022002858
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 제 1 방향을 따라 배열되는 분포 영역, 위상 영역 및 게인 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 하부 클래드층, 상기 분포 영역 상에 배치된 회절 격자들, 상기 하부 클래드층상에 배치되고, 상기 분포 영역에서 상기 게인 영역까지 연장되는 도파로층, 상기 도파로층 상에 배치되는 상부 클래드층, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 상기 상부 클래드층의 폭은 상기 도파로층에 가까울수록 작아지고, 상기 분포 영역 상에서 상기 상부 클래드층 상에 제공되는 전극, 및 상기 전극 상에 배치되고, 절연층에 의해 상기 전극과 전기적으로 절연되는 히터를 포함하는 파장가변 레이저 다이오드를 제공하되, 상기 절연층의 두께는 5nm 내지 20nm일 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01S 5/125 (2015.01.01) H01S 5/10 (2021.01.01) H01S 5/026 (2006.01.01) |
| CPC | H01S 5/125(2013.01) H01S 5/1014(2013.01) H01S 5/0261(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020200113750 (2020.09.07) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2022-0032220 (2022.03.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 공개 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 국내출원/신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | N |
| 심사청구항수 | 1 |