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카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2022003842
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 방법은, (a) 메모리 컨트롤러가, DRAM에 특정 DRAM뱅크가 액티베이트를 수행하게 만드는 액티베이트 커맨드(ACT Command)를 송신하고, 메모리 컨트롤러에 존재하는 DRAM 뱅크 또는 서브뱅크 또는 여러 DRAM 뱅크의 묶음(이하 DRAM 뱅크) 당 발행되는 복수 개의 제1 카운터 중 상기 특정 DRAM뱅크의 제1 카운터 값을 1 증가시키는 단계; (b) 상기 제1 카운터 값이 DRAM으로부터 기 수신된 리프레쉬 매니지먼트 경계값(RAAIMT)에 도달하게 되면, 메모리 컨트롤러가 해당 DRAM 뱅크에 로우 해머 리프레쉬(RH refresh)를 수행하게 하는 리프레쉬 매니지먼트(RFM) 커맨드를, 결정적 로우 해머 방지 알고리즘을 수행하는 DRAM의 로우 해머 방지 제어부로 보내는 단계; (c) DRAM의 로우 해머 방지 제어부가 상기 리프레쉬 매니지먼트 커맨드를 수신하면, 그 때까지 해당 DRAM 뱅크 내의 각 로우에 대한 액티베이트(ACT) 횟수를 세던 DRAM에 존재하는 제2 카운터의 값을 기 설정된 기준치와 비교하는 단계; (d) DRAM의 로우 해머 방지 제어부는, 상기 (c)단계에서의 비교 결과, 제2 카운터 값이 상기 기준치보다 작으면 해당 DRAM뱅크의 로우에 대해 로우 해머 리프레쉬를 수행하지 않고, 제2 카운터 값이 상기 기준치보다 크면 해당 DRAM뱅크의 로우에 대해 로우 해머 리프레쉬를 수행한 후 해당 로우의 제2 카운터 값을 0 또는 특정 값으로 초기화하는 단계;를 포함한다. 이에 따라 본 발명은 매 리프레쉬 매니지먼트 명령어에서 판단을 통해 필요성이 클 때만 리프레쉬를 수행하여 에너지 효율성을 극대화할 수 있다.
Int. CL G11C 11/406 (2006.01.01) G11C 11/4096 (2015.01.01) G06F 3/06 (2006.01.01)
CPC G11C 11/40618(2013.01) G11C 11/40611(2013.01) G11C 11/4096(2013.01) G06F 3/0658(2013.01) G06F 3/0659(2013.01)
출원번호/일자 1020200180121 (2020.12.21)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2385443-0000 (2022.04.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안정호 서울특별시 용산구
2 김재민 경기도 성남시 분당구
3 김남훈 서울특별시 관악구
4 박재현 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오영균 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로 ***, 에이스테크노트윈타워*차 ***호 다솔국제특허법률사무소 (구로동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-1391053-86
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0027154-17
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0854647-25
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1493607-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-1493606-28
7 등록결정서
Decision to grant
2022.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0215000-86
8 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
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번호 청구항
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DRAM 뱅크 또는 서브뱅크 또는 여러 DRAM 뱅크의 묶음(이하 DRAM 뱅크) 당 발행되는 복수 개의 제1 카운터, DRAM에 특정 DRAM뱅크가 액티베이트를 수행하게 만드는 액티베이트 커맨드(ACT Command)를 송신하는 액티베이트 커맨드 생성부, 및 상기 액티베이트가 수행되는 특정 DRAM뱅크의 제1 카운터 값을 1 증가시키고, 상기 제1 카운터 값이 DRAM으로부터 기 수신된 리프레쉬 매니지먼트 경계값(RAAIMT)에 도달하게 되면, 해당 DRAM 뱅크에 로우 해머 리프레쉬(RH refresh)를 수행하게 하는 리프레쉬 매니지먼트(RFM) 커맨드를, DRAM의 로우 해머 방지 제어부로 보내는 리프레쉬 매니지먼트 커맨드 생성부,를 포함하는 메모리 컨트롤러; 및DRAM에 존재하고 DRAM 뱅크 내의 각 로우에 대한 액티베이트(ACT) 횟수를 세는 제2 카운터, 및 결정적 로우 해머 방지 알고리즘을 수행하되, 상기 리프레쉬 매니지먼트 커맨드를 수신하면 그 때까지 해당 DRAM 뱅크의 각 로우의 액티베이트(ACT) 횟수를 세던 상기 제2 카운터의 값을 기 설정된 기준치와 비교하고, 제2 카운터 값이 상기 기준치보다 작으면 해당 DRAM뱅크의 로우에 대해 로우 해머 리프레쉬를 수행하지 않고, 제2 카운터 값이 상기 기준치보다 크면 해당 DRAM뱅크의 로우에 대해 로우 해머 리프레쉬를 수행한 후 해당 로우의 제2 카운터 값을 0 또는 특정 값으로 초기화하는 로우 해머 방지 제어부,를 포함하는 DRAM;을 포함하는 카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 카운터는, DRAM의 내부나 레지스터 클락 드라이버(RCD) 또는 로직 다이(logic die)에 위치하는 것을 특징으로 하는, 카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 장치
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(a) 메모리 컨트롤러가, DRAM에 특정 DRAM뱅크가 액티베이트를 수행하게 만드는 액티베이트 커맨드(ACT Command)를 송신하고, 메모리 컨트롤러에 존재하는 DRAM 뱅크 또는 서브뱅크 또는 여러 DRAM 뱅크의 묶음(이하 DRAM 뱅크) 당 발행되는 복수 개의 제1 카운터 중 상기 특정 DRAM뱅크의 제1 카운터 값을 1 증가시키는 단계;(b) 상기 제1 카운터 값이 DRAM으로부터 기 수신된 리프레쉬 매니지먼트 경계값(RAAIMT)에 도달하게 되면, 메모리 컨트롤러가 해당 DRAM 뱅크에 로우 해머 리프레쉬(RH refresh)를 수행하게 하는 리프레쉬 매니지먼트(RFM) 커맨드를, 결정적 로우 해머 방지 알고리즘을 수행하는 DRAM의 로우 해머 방지 제어부로 보내는 단계;(c) DRAM의 로우 해머 방지 제어부가 상기 리프레쉬 매니지먼트 커맨드를 수신하면, 그 때까지 해당 DRAM 뱅크 내의 각 로우에 대한 액티베이트(ACT) 횟수를 세던 DRAM에 존재하는 제2 카운터의 값을 기 설정된 기준치와 비교하는 단계;(d) DRAM의 로우 해머 방지 제어부는, 상기 (c)단계에서의 비교 결과, 제2 카운터 값이 상기 기준치보다 작으면 해당 DRAM뱅크의 로우에 대해 로우 해머 리프레쉬를 수행하지 않고, 제2 카운터 값이 상기 기준치보다 크면 해당 DRAM뱅크의 로우에 대해 로우 해머 리프레쉬를 수행한 후 해당 로우의 제2 카운터 값을 0 또는 특정 값으로 초기화하는 단계;를 포함하는 카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 방법
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제3항에 있어서, 상기 결정적 로우 해머 방지 알고리즘은,카운터 기반의 로우 해머 방지 알고리즘으로서, TWiCe 또는 Graphene, CBT, CAT-TWO 알고리즘을 포함하는 카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 방법
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제4항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 로우 해머 리프레쉬 수행시, TWiCe와 CBT, CAT-TWO의 경우에는 로우 해머 리프레쉬가 수행된 로우의 제2 카운터 값을 0으로 초기화 하고, Graphene의 경우에는 로우 해머 리프레쉬가 수행된 로우의 제2 카운터를 스필오버 카운터로 초기화하는 것을 특징으로 하는, 카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 방법
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제4항에 있어서,상기 결정적 로우 해머 방지 알고리즘이 Graphene 알고리즘인 경우,상기 기준치는, 각 DRAM 뱅크 내의 로우들의 제2 카운터 값 중 최대값과 스필오버 카운터값(최소값)의 차이인 상대값인 것을 특징으로 하는, 카운터 기반의 로우 해머 방지를 위한 선택적 로우 해머 리프레쉬 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 산학협력단 차세대지능형반도체기술개발(설계)(R&D) AI 특화형 병렬 초고속 메모리 인터페이스 기술 개발