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피시험 반도체 소자를 준비하는 단계;상기 피시험 반도체 소자에서 출력되는 전류 신호를 측정하는 단계;상기 전류 신호를 증폭하는 단계;증폭된 상기 전류 신호로부터, 시간에 따른 전류 값의 변화량을 계산하는 단계;상기 시간에 따른 전류 값의 변화량을 전류 값의 변화량에 대한 확률 밀도 함수로 변환하는 단계; 및상기 확률 밀도 함수로부터, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 검사 방법
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제1 항에 있어서, 상기 트랩 사이트에 대한 정보는, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트의 종류, 트랩 사이트의 위치, 트랩 사이트의 밀도, 및 트랩 사이트의 분포를 포함하는 반도체 소자의 검사 방법
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제1 항에 있어서, 상기 확률 밀도 함수로부터 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 단계는, 트랩 사이트의 종류, 트랩 사이트의 위치, 트랩 사이트의 밀도, 및 트랩 사이트의 분포에 따른 고유의 참조용 확률 밀도 함수들이 준비되고,상기 참조용 확률 밀도 함수들을 이용하여, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 것을 포함하는 반도체 소자의 검사 방법
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제3 항에 있어서, 상기 확률 밀도 함수로부터 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 단계는, 상기 참조용 확률 밀도 함수들 중에서, 상기 확률 밀도 함수와 매칭되는, 제1 내지 제n(n은 2 이상의 자연수) 참조용 확률 밀도 함수를 선택하는 단계; 및상기 제1 내지 제n 참조용 확률 밀도 함수에 대응되는 트랩 사이트의 종류, 트랩 사이트의 위치, 트랩 사이트의 밀도, 및 트랩 사이트의 분포를 추출하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 검사 방법
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제1 항에 있어서, 상기 피시험 반도체 소자는, 메모리 반도체 소자인 것을 포함하는 반도체 소자의 검사 방법
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제5 항에 있어서, 상기 전류 신호는, 상기 메모리 반도체 소자의 드레인 전류 값인 것을 포함하는 반도체 소자의 검사 방법
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피시험 반도체 소자로부터 전류 신호를 측정하는 전류 신호 측정부;상기 전류 신호를 증폭하는 증폭부;증폭된 상기 전류 신호로부터 시간에 따른 전류 값의 변화량을 계산하는 전류 값 변화량 계산부;상기 시간에 따른 전류 값의 변화량을 전류 값의 변화량에 대한 확률 밀도 함수로 변환하는 확률 밀도 함수 변환부; 및상기 확률 밀도 함수로부터, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 트랩 사이트 정보 확인부를 포함하는 반도체 소자의 검사 장치
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제7 항에 있어서, 상기 트랩 사이트 정보 확인부는, 트랩 사이트의 종류, 트랩 사이트의 위치, 트랩 사이트의 밀도, 및 트랩 사이트의 분포에 따른 고유의 참조용 확률 밀도 함수들을 저장하는 데이터저장부; 및상기 참조용 확률 밀도 함수들을 이용하여, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 매칭부를 포함하는 반도체 소자의 검사 장치
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제8 항에 있어서, 상기 매칭부는, 상기 참조용 확률 밀도 함수들 중에서, 상기 확률 밀도 함수와 매칭되는, 제1 내지 제n(n은 2 이상의 자연수) 참조용 확률 밀도 함수를 선택하고, 상기 제1 내지 제n 참조용 확률 밀도 함수에 대응되는 트랩 사이트의 종류, 트랩 사이트의 위치, 트랩 사이트의 밀도, 및 트랩 사이트의 분포를 추출하는 것을 포함하는 반도체 소자의 검사 장치
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복수의 참조용 확률 밀도 함수, 및 복수의 상기 참조용 확률 밀도 함수에 대응하는 트랩 정보를 저장하는 저장부를 포함하는 반도체 소자의 검사 장치
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제10 항에 있어서, 상기 트랩 정보는, 트랩 사이트의 종류, 트랩 사이트의 위치, 트랩 사이트의 밀도, 및 트랩 사이트의 분포를 포함하는 반도체 소자의 검사 장치
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