| 1 |
1
광 출력부;상기 광 출력부 위에 배치되며, 상기 광 출력부로부터 출력된 레이저 빔을 집광하기 위한 렌즈부; 및상기 광 출력부 위에 배치되며, 상기 렌즈부를 통과한 레이저 빔이 가스 분자와 상호작용하여 발생시킨 진동을 전기 신호로 변환하기 위한 광음향 탐지부를 포함하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 광 출력부, 상기 렌즈부, 및 상기 광음향 탐지부는 수직으로 정렬되어 단일 반도체 칩 내에 집적되는 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 단일 반도체 칩의 표면적은 수 cm2 이하인 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 광 출력부는, 기판;상기 기판 상에 형성된 레이저 활성층(laser active layer); 및상기 레이저 활성층 상에 형성된 클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 광 출력부는 상기 레이저 활성층으로부터 방출된 레이저 빔의 진행 방향을 수직 위 방향으로 조정하기 위한 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 광음향 탐지부는 상기 렌즈부 위에 정렬되며 개구부를 갖는 U자형 석영튜닝포크(Quartz Tuning Fork)를 구비하고,상기 석영튜닝포크 주위에 존재하는 가스 분자는 상기 개구부를 통과하는 레이저 빔을 흡수하여 광음향파를 생성하고,상기 광음향 탐지부는 압전소자를 이용해 상기 광음향파에 의한 진동을 전기 신호로 변환하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 광음향 탐지부는 상기 광음향파를 증폭시키는 음향 공진기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 광 출력부는 수직 캐비티 표면 방출 레이저(vertical cavity surface emitting laser)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 9 |
9
외부 광원으로부터 출력된 레이저 빔을 집광하기 위한 렌즈부; 및상기 렌즈부 위에 정렬된 석영튜닝포크를 구비하고, 상기 렌즈부를 통과한 레이저 빔이 가스 분자와 상호작용하여 발생시킨 진동을 전기 신호로 변환하기 위한 광음향 탐지부를 포함하는, 집적형 광음향 가스 센서
|
| 10 |
10
기판; 레이저 활성층; 및 클래딩층이 적층된 광 출력부를 형성하는 단계;상기 광 출력부의 일부를 식각하고 식각된 부분에 레이저 빔의 반사를 위한 반사부를 형성하는 단계;상기 광 출력부를 반도체 칩 위에 배치하는 단계;상기 광 출력부 위에 레이저 빔을 집광하기 위한 렌즈부를 배치하는 단계; 및상기 광 출력부 위에, 상기 렌즈부와 정렬된 석영튜닝포크를 구비한 광음향 탐지부를 배치하는 단계를 포함하는, 집적형 광음향 가스 센서의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 광 출력부, 상기 렌즈부, 및 상기 광음향 탐지부는 수직으로 정렬되어 단일 반도체 칩 내에 집적되는 것을 특징으로 하는, 집적형 광음향 가스 센서의 제조방법
|
