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기판;상기 기판 상에 제공되어 상기 기판의 표면 에너지를 조절하는 표면 조절층; 및상기 표면 조절층 상에 제공되는 캐핑층을 포함하되,상기 캐핑층은:상기 표면 조절층으로부터 멀어지도록 볼록한 프로파일을 갖는 볼록부; 및상기 표면 조절층과 접촉하는 함몰부를 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 표면 조절층 및 상기 캐핑층 사이에 제공되는 중공을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 표면 조절층 및 상기 캐핑층 사이에 제공되는 아일랜드 패턴을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제3항에 있어서,상기 아일랜드 패턴의 상면의 프로파일은 상기 볼록부의 프로파일에 대응되는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제3항에 있어서,상기 아일랜드 패턴 및 상기 캐핑층 사이에 제공되는 중공을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제3항에 있어서,상기 아일랜드 패턴 및 상기 캐핑층은 서로 상이한 물질을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제3항에 있어서,상기 아일랜드 패턴은 상기 캐핑층의 상기 볼록부와 접촉하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제3항에 있어서,상기 아일랜드 패턴은 유기물을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 캐핑층의 두께는 50nm 내지 1000nm인, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 캐핑층 상의 보호층을 더 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 표면 조절층의 표면 에너지는 50mJ/m2 내지 1000mJ/m2 인, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체
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기판 상에 상기 기판의 표면 에너지를 조절하는 표면 조절층을 형성하는 것;상기 표면 조절층 상에 아일랜드 패턴을 형성하는 것; 및상기 아일랜드 패턴 상에 캐핑층을 형성하는 것을 포함하되,상기 아일랜드 패턴은 반구형 형상을 갖고,상기 캐핑층은: 상기 아일랜드 패턴의 상면을 덮는 볼록부; 및상기 표면 조절층과 접촉하는 함몰부를 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 표면 조절층, 상기 아일랜드 패턴 및 상기 캐핑층은 증착법을 이용하여 형성되는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 캐핑층을 형성한 후,상기 아일랜드 패턴을 제거하여 중공을 형성하는 것을 더 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 아일랜드 패턴을 제거하는 것은 열처리 공정 또는 플라즈마 처리 공정을 이용하는 것을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 중공을 형성하는 것은 상기 아일랜드 패턴의 전부를 제거하는 것을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 중공을 형성하는 것은 상기 아일랜드 패턴의 일부를 제거하는 것을 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 중공은 상기 아일랜드 패턴 및 상기 캐핑층 사이에 형성되는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 나노 구조체 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는, 광소자의 광학 특성을 조절하기 위한 나노 구조체의 제조방법
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