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고종횡비 격벽패턴을 이용하여 광추출 효율을 향상시킨 발광형 표시장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022005946
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고종횡비 격벽패턴을 이용하여 광추출 효율을 향상시킨 발광형 표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 이차스퍼터링 현상을 이용하여 화소정의막에 수십 나노 두께의 격벽형 패턴의 반사막 구조체를 형성함으로써 종래 기술의 문제점이었던 광추출 한계와 색간 간섭문제를 해결하고 빛을 재활용하여 디스플레이 제품의 발광층에서 나오는 빛 추출 성능을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/32 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 27/3246(2013.01) H01L 51/0005(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5088(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 27/3283(2013.01) H01L 2227/323(2013.01)
출원번호/일자 1020200153617 (2020.11.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0067189 (2022.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.17)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정희태 대전광역시 유성구
2 정우빈 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-1230520-10
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1425499-66
3 보정요구서
Request for Amendment		 2020.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0198982-18
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1434753-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0313910-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 복수개의 제1 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 전극 사이에 화소정의막(pixel defining layer) 구조체를 형성하는 단계;(c) 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광형 표시장치의 제조방법에 있어서,상기 (b) 화소정의막 구조체를 형성하는 단계는 기판에 화소정의막을 형성한 다음, 상기 기판에 반사막 형성물질을 증착하는 단계; 및 에칭을 통해 반사막 형성물질을 상기 화소정의막의 측면에 재증착하여 반사 격벽을 수득하는 단계를 포함하는 발광형 표시장치의 제조방법
2 2
(a) 기판 상에 복수개의 제1 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 전극 사이에 화소정의막(pixel defining layer) 구조체를 형성하는 단계;(c) 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광형 표시장치의 제조방법에 있어서,상기 (b) 화소정의막 구조체를 형성하는 단계는 반사막 형성물질을 증착한 다음, 화소정의막을 형성하는 단계; 및 에칭을 통해 반사막 형성물질을 상기 화소정의막의 측면에 재증착하여 반사 격벽을 수득하는 단계를 포함하는 발광형 표시장치의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 화소정의막은 폴리스티렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아릴에테르, 헤테로사이클릭 폴리머, 파릴렌, 불소계 고분자, 에폭시 수지, 벤조사이클로부틴 수지, 실록세인 수지, 실란 수지, 포토레지스트 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사막 형성물질은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이들의 합금으로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에칭은 밀링 또는 스퍼터링으로 수행되는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 밀링은 0
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 화소정의막 구조체를 형성하는 단계 후 상기 발광층을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 전극과 상기 화소정의막의 전면에 정공주입층 형성용 물질 및 정공수송층 형성용 물질 중 적어도 하나를 도포하는 단계를 추가로 포함하는 발광형 표시장치의 제조방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 정공주입층 형성용 물질 및 상기 정공수송층 형성용 물질 중 적어도 하나를 도포하는 단계는 잉크 프린팅법을 적용하는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (c) 발광층을 형성하는 단계는 잉크 프린팅법을 적용하는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 발광형 표시장치는 유기발광 표시장치 또는 퀀텀닷 발광 표시장치인 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
11 11
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 격벽의 두께는 10 nm 내지 1000 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
12 12
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 격벽의 두께는 반사막 형성 물질의 증착 두께 또는 에칭 시간에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치의 제조방법
13 13
기판에 화소정의막을 형성한 다음, 상기 기판에 반사막 형성물질을 증착하는 단계; 및 에칭을 통해 반사막 형성물질을 상기 화소정의막의 측면에 재증착하여 반사 격벽을 수득하는 단계를 포함하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
14 14
기판에 반사막 형성물질을 증착한 다음, 화소정의막을 형성하는 단계; 및 에칭을 통해 반사막 형성물질을 상기 화소정의막의 측면에 재증착하여 반사 격벽을 수득하는 단계를 포함하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
15 15
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 화소정의막은 폴리스티렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아릴에테르, 헤테로사이클릭 폴리머, 파릴렌, 불소계 고분자, 에폭시 수지, 벤조사이클로부틴 수지, 실록세인 수지, 실란 수지, 포토레지스트 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
16 16
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 에칭은 밀링 또는 스퍼터링으로 수행되는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 밀링은 0
18 18
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 반사 격벽의 두께는 1 nm 내지 1000 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
19 19
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 반사 격벽의 두께는 반사막 형성 물질의 증착 두께 또는 에칭 시간에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
20 20
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 반사 격벽을 수득한 다음, 두께 조절을 위한 증착 단계를 추가로 포함하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 두께 조절을 위한 증착 단계는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 및 전기도금으로 구성된 군에서 선택되는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치용 화소정의막 구조체의 두께를 조절하는 방법
22 22
기판; 및 상기 기판 상에 배치되며, 화소 영역들을 정의하는 화소정의막 구조체;를 포함하고, 상기 화소 영역들 각각은 제1 전극; 상기 제1 전극상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하며, 상기 화소정의막 구조체는 화소정의막을 형성한 다음, 상기 기판에 반사막 형성물질을 증착하는 단계; 및 에칭을 통해 반사막 형성물질을 화소정의막의 측면에 재증착하여 반사 격벽을 수득하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치
23 23
기판; 및 상기 기판 상에 배치되며, 화소 영역들을 정의하는 화소정의막 구조체;를 포함하고, 상기 화소 영역들 각각은 제1 전극; 상기 제1 전극상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하며, 상기 화소정의막 구조체는 기판에 반사막 형성물질을 증착한 다음, 화소정의막을 형성하는 단계; 및 에칭을 통해 반사막 형성물질을 상기 화소정의막의 측면에 재증착하여 반사 격벽을 수득하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치
24 24
제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 발광형 표시장치는 유기발광 표시장치 또는 퀀텀닷 발광 표시장치인 것을 특징으로 하는 발광형 표시장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 ETRI 주요사업 ICT 소재, 부품, 장비 자립 및 도전기술 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 (EZBARO)새로운 방식의 멀티스케일 나노 구조체 제작 기술 개발 및 응용(2019)
3 과학기술정보통신부 한국과학기술원 (2020)연구산업 육성 (혁신성장) 고객수요대응연구 패터닝 기법을 활용한 박막형 방열 소재 개발