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광 위상 배열 수신기에 있어서, 상기 광 위상 배열 수신기는, 광 집적화 칩-상기 광 집적화 칩은, 절연층을 포함하는 기판; 상기 기판의 상부에 배치된 채 복수의 불순물 영역들을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층의 상부에 순차적으로 적층되는 제1 절연층, 저항층 및 제2 절연층; 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 반도체층에 접지하거나 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 저항층에 접지하는 복수의 개구들; 및 상기 제2 절연층 및 상기 복수의 개구들 각각의 상부에 구비되는 금속층을 포함함- 상에 구현되고, 상기 광 위상 배열 수신기는, 자유 공간 상 입사되는 복수의 광파들을 수신하는 광학 안테나 배열; 상기 광학 안테나 배열로부터 단일 모드 광 도파로들을 통해 전달되는 복수의 광파들 각각의 위상을 제어하는 위상 제어기 배열; 상기 위상 제어된 복수의 광파들을 결합하는 광 결합기 배열; 상기 광 결합기 배열 각각의 출력단에서 결합된 광파의 세기를 측정하고 위상을 제어하는 검출 겸용 위상 제어기 배열; 및 상기 광 결합기 배열 중 최종단에 위치하는 최종 광 결합기의 출력단에서 동위상 광파의 고속 변조 데이터를 검출하는 수신 광 검출기를 포함하며, 상기 위상 제어기 배열 각각은, 상기 반도체층에 형성된 광 도파로; 상기 저항층 중 상기 광 도파로의 상부에 대응하는 영역에 형성된 저항선; 상기 복수의 개구들 중 상기 제2 절연층을 관통하며 상기 저항선의 양단과 연결된 개구들; 상기 저항선의 전기적 접지를 위해 상기 개구들의 상부에 구비되는 상기 금속층에 형성된 전극 패드들; 및 상기 광 도파로의 좌우 측면에 이격되어 위치하는 방열 슬랩 구조물들-상기 방열 슬랩 구조물들은 상기 반도체층 상에서 상기 광 도파로의 좌우 측면에 위치하는 방열 슬랩들, 상기 복수의 개구들 중 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 관통하며 상기 방열 슬랩들의 상부에 배치된 개구들 및 상기 방열 슬랩들의 방열을 위해 상기 개구들의 상부에 구비되는 상기 금속층에 형성된 방열 패드들을 포함함-을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 위상 배열 수신기
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제1항에 있어서, 상기 광학 안테나 배열 각각은, 상기 반도체층에 형성된 격자 홈으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광 위상 배열 수신기
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광 위상 배열 수신기에 있어서, 상기 광 위상 배열 수신기는, 광 집적화 칩-상기 광 집적화 칩은, 절연층을 포함하는 기판; 상기 기판의 상부에 배치된 채 복수의 불순물 영역들을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층의 상부에 순차적으로 적층되는 제1 절연층, 저항층 및 제2 절연층; 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 반도체층에 접지하거나 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 저항층에 접지하는 복수의 개구들; 및 상기 제2 절연층 및 상기 복수의 개구들 각각의 상부에 구비되는 금속층을 포함함- 상에 구현되고, 상기 광 위상 배열 수신기는, 자유 공간 상 입사되는 복수의 광파들을 수신하는 광학 안테나 배열; 상기 광학 안테나 배열로부터 단일 모드 광 도파로들을 통해 전달되는 복수의 광파들 각각의 위상을 제어하는 위상 제어기 배열; 상기 위상 제어된 복수의 광파들을 결합하는 광 결합기 배열; 상기 광 결합기 배열 각각의 출력단에서 결합된 광파의 세기를 측정하고 위상을 제어하는 검출 겸용 위상 제어기 배열; 및 상기 광 결합기 배열 중 최종단에 위치하는 최종 광 결합기의 출력단에서 동위상 광파의 고속 변조 데이터를 검출하는 수신 광 검출기를 포함하며, 상기 검출 겸용 위상 제어기 배열 각각은, 상기 반도체층에 형성된 립 도파로; 상기 저항층 중 상기 립 도파로의 상부에 대응하는 영역에 형성된 저항선; 상기 반도체층 상에서 상기 립 도파로의 좌우 측면에 인접하여 상기 립 도파로와 함께 PIN 접합을 형성하는 P형 접합 불순물 영역 및 N형 접합 불순물 영역; 상기 반도체층 상에서 상기 P형 접합 불순물 영역의 측면에 인접하는 고농도 P형 불순물 영역; 상기 반도체층 상에서 상기 N형 접합 불순물 영역의 측면에 인접하는 고농도 N형 불순물 영역; 상기 복수의 개구들 중 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 관통하며 상기 고농도 P형 불순물 영역 및 상기 고농도 N형 불순물 영역 각각의 상부에 배치된 개구들; 및 상기 고농도 P형 불순물 영역 및 상기 고농도 N형 불순물 영역의 전기적 접지를 위해 상기 개구들의 상부에 구비되는 상기 금속층에 형성된 전극 패드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 위상 배열 수신기
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광 위상 배열 수신기에 있어서, 상기 광 위상 배열 수신기는, 광 집적화 칩-상기 광 집적화 칩은, 절연층을 포함하는 기판; 상기 기판의 상부에 배치된 채 복수의 불순물 영역들을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층의 상부에 순차적으로 적층되는 제1 절연층, 저항층 및 제2 절연층; 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 반도체층에 접지하거나 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 저항층에 접지하는 복수의 개구들; 및 상기 제2 절연층 및 상기 복수의 개구들 각각의 상부에 구비되는 금속층을 포함함- 상에 구현되고, 상기 광 위상 배열 수신기는, 자유 공간 상 입사되는 복수의 광파들을 수신하는 광학 안테나 배열; 상기 광학 안테나 배열로부터 단일 모드 광 도파로들을 통해 전달되는 복수의 광파들 각각의 위상을 제어하는 위상 제어기 배열; 상기 위상 제어된 복수의 광파들을 결합하는 광 결합기 배열; 상기 광 결합기 배열 각각의 출력단에서 결합된 광파의 세기를 측정하고 위상을 제어하는 검출 겸용 위상 제어기 배열; 및 상기 광 결합기 배열 중 최종단에 위치하는 최종 광 결합기의 출력단에서 동위상 광파의 고속 변조 데이터를 검출하는 수신 광 검출기를 포함하며, 상기 수신 광 검출기는, 상기 반도체층에 형성된 립 도파로; 상기 반도체층 상에서 상기 립 도파로의 중간 지점에 전기장을 야기하도록 상기 립 도파로의 좌우 측면 슬랩에서 PN 접합을 형성하는 P형 접합 불순물 영역 및 N형 접합 불순물 영역; 상기 반도체층 상에서 상기 P형 접합 불순물 영역의 측면에 인접하는 고농도 P형 불순물 영역; 상기 반도체층 상에서 상기 N형 접합 불순물 영역의 측면에 인접하는 고농도 N형 불순물 영역; 상기 복수의 개구들 중 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 관통하며 상기 고농도 P형 불순물 영역 및 상기 고농도 N형 불순물 영역 각각의 상부에 배치된 개구들; 상기 고농도 P형 불순물 영역 및 상기 고농도 N형 불순물 영역의 전기적 접지를 위해 상기 개구들의 상부에 구비되는 상기 금속층에 형성된 전극 패드들; 상기 전극 패드들의 말단에 병렬 연결된 채 상기 저항층 상에서 RF의 반사를 최소화하는 RF 종단 구조물-상기 RF 종단 구조물은, 상기 저항층 상에 형성된 저항선, 상기 복수의 개구들 중 상기 제2 절연층을 관통하며 상기 저항선의 상부에서 상기 개구들과 연결되는 말단 개구들 및 상기 말단 개구들의 상부에 구비되는 상기 금속층에 형성된 말단 전극 패드들-; 및 상기 립 도파로의 말단에 연결된 채 상기 반도체층 상에서 상기 동위상 광파의 반사를 최소화하는 광파 종단 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 위상 배열 수신기
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제1항에 있어서, 상기 광 결합기 배열은, 상기 단일 모드 광 도파로들을 통해 전달되는 복수의 광파들을 순차적으로 직렬 결합하는 것을 특징으로 하는 광 위상 배열 수신기
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