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제1원소를 함유하는 코어(core), 및상기 코어의 적어도 일 표면을 덮고, 제2원소 및 제3원소를 함유하는 쉘(shell)을 포함하고,상기 제1원소, 상기 제2원소 및 상기 제3원소는 서로 상이하고,상기 코어의 적어도 일 표면 상에서 상기 제1원소와 상기 제2원소는 화학 결합하는, 반도체 나노입자
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제1항에 있어서,상기 쉘은 제1영역 및 제2영역을 포함하고,상기 제1영역은 상기 코어와 상기 제2영역 사이에 위치하고,상기 제1영역 내의 상기 제3원소의 원자 %는 상기 제2영역 내의 상기 제3원소의 원자 %보다 작은, 반도체 나노입자
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제1항에 있어서,상기 코어는 제4원소를 더 포함하고,상기 코어는 상기 제4원소와 화학 결합하지 않고 존재하는 제1원소를 함유하는, 반도체 나노입자
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4
제3항에 있어서,{상기 제4원소의 원자수 / 상기 제1원소의 원자수}로 계산된 상기 제1원소와 상기 제4원소의 원자비는 0
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5
제1항에 있어서,상기 코어는 제3영역 및 제4영역을 포함하고,상기 제3영역은 상기 쉘과 상기 제4영역 사이에 위치하고,상기 제3영역 내의 상기 제1원소의 원자 %는 상기 제4영역 내의 상기 제1원소의 원자 %보다 큰, 반도체 나노입자
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6
제1항에 있어서,상기 제1원소의 산화수의 절대 값과, 상기 제2원소의 산화수의 절대 값이 서로 상이한, 반도체 나노입자
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7
제6항에 있어서,상기 제1원소의 산화수 및 상기 제2원소의 산화수 중 어느 하나는 음의 값이고, 다른 하나는 양의 값인, 반도체 나노입자
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8
제1항에 있어서,상기 제1원소 및 상기 제2원소는 서로 독립적으로, 12족 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소 또는 16족 원소인, 반도체 나노입자
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9
제1항에 있어서,상기 화학 결합은 12족 원소와 16족 원소의 화학 결합, 13족 원소와 15족 원소의 화학 결합, 13족 원소와 16족 원소의 화학 결합, 14족 원소와 12족의 화학 결합, 14족 원소와 13족 원소의 화학 결합, 14족 원소와 16 원소의 화학결합, 14족 원소와 15족 원소의 화학 결합, 또는 이들의 임의의 조합인, 반도체 나노입자
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10
제1항에 있어서,상기 코어는 InP를 포함하고,상기 쉘은 ZnSe를 포함하고,상기 화학 결합은 In 및 Se의 화학 결합인, 반도체 나노입자
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11
제1항에 있어서,상기 코어의 밴드갭은 1
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12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노입자; 및제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 중간층을 포함하는 발광 소자를 포함하는 전자 장치
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13
제12항에 있어서, 제1기판을 더 포함하고;상기 제1기판이 상기 반도체 나노입자를 포함하는, 전자 장치
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14
제13항에 있어서,상기 제1기판의 일 영역은 상기 반도체 나노입자를 포함하고, 상기 반도체 나노입자가 제1색광을 흡수하고, 제2색광을 방출하는, 전자 장치
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15
제14항에 있어서,상기 제1기판은 상기 일 영역과 구별되는 타 영역을 더 포함하고,상기 타 영역은 산란체를 포함하나, 상기 반도체 나노입자를 미포함하는, 전자 장치
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16
제13항에 있어서,상기 제1기판은 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 진행 방향 상에 위치하는 전자 장치
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17
제12항에 있어서,상기 중간층이 상기 반도체 나노입자를 포함하는, 전자 장치
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제13항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 전계가 인가되면,상기 반도체 나노입자가 가시광을 방출하는, 전자 장치
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제1원소를 함유하는 코어를 제공하는 단계; 제2원소를 포함하는 제1전구체를 첨가하여 상기 제1원소 및 상기 제2원소의 화학 결합을 형성하는 단계; 및제3원소를 포함하는 제2전구체를 더 첨가하여 상기 코어의 적어도 일 표면을 덮도록 상기 제2원소 및 상기 제3원소를 함유하는 쉘을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1원소, 상기 제2원소 및 상기 제3원소는 서로 상이한, 반도체 나노입자의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 코어는 제4원소를 더 포함하고,상기 코어는 상기 제4원소와 화학 결합하지 않고 존재하는 제1원소를 함유하는, 반도체 나노입자의 제조 방법
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