[KST2015088187][한국전자통신연구원] |
고전력이종접합바이폴라트랜지스터의제작방법 |
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[KST2015089239][한국전자통신연구원] |
전계효과 트랜지스터의 제조 방법 |
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[KST2015091283][한국전자통신연구원] |
전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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[KST2015077683][한국전자통신연구원] |
변형에 기인한 자기양자점을 이용한 단전자 트랜지스터 |
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[KST2015080094][한국전자통신연구원] |
고주파 전자소자의 제조 방법 |
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[KST2015082742][한국전자통신연구원] |
반도체막의 선택적 영역 성장용 마스크 패턴 및 그를이용한 반도체막의 선택적 영역 성장 방법 |
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[KST2015087376][한국전자통신연구원] |
이종 접합을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법 |
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[KST2015091962][한국전자통신연구원] |
고주파 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2014027234][한국전자통신연구원] |
S-/X-대역 질화갈륨 전력소자 기술 |
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[KST2015075594][한국전자통신연구원] |
공진 터널링 전자 장치 |
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[KST2015076385][한국전자통신연구원] |
평면 매립형 반도체 구조 및 그 제조방법 |
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[KST2015077381][한국전자통신연구원] |
적층된 감마형 게이트를 이용한 화합물 반도체소자 제조방법 |
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[KST2015079410][한국전자통신연구원] |
어레이 구조의 분자 전자 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2015079543][한국전자통신연구원] |
반도체소자의 티형 게이트 형성방법 |
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[KST2015091089][한국전자통신연구원] |
트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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[KST2015074534][한국전자통신연구원] |
저전원전압으로작동가능한갈륨비소반도체전력소자및그의제조방법 |
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[KST2015081982][한국전자통신연구원] |
유기 유전박막을 구비한 분자 전자 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2015086405][한국전자통신연구원] |
전계효과형 화합물반도체소자의 제조방법 |
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[KST2015090823][한국전자통신연구원] |
절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 |
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[KST2015081076][한국전자통신연구원] |
티형 게이트의 제조 방법 |
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[KST2015081279][한국전자통신연구원] |
유기 전도성 보호막을 가지는 분자 전자 소자 |
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[KST2015087108][한국전자통신연구원] |
트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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[KST2015020849][한국전자통신연구원] |
고온 열처리 장비 개발을 위한 와이드 밴드갭 전력반도체 평가기술 |
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[KST2015076040][한국전자통신연구원] |
전력 소자용 갈륨비소 에피택셜 기판 |
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[KST2015076893][한국전자통신연구원] |
에미터 서브-메사 어레이 구조를 갖는 양자 공진터널링 소자 |
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[KST2015078158][한국전자통신연구원] |
이차원 전자가스의 전자밀도가 증가된 고전자이동도트랜지스터의 제조방법 |
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[KST2015075648][한국전자통신연구원] |
이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조 및 제조방법과 이 를 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 구조 및제조방법 |
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[KST2015075933][한국전자통신연구원] |
InGa(A1)As계 고전자 이동도 트랜지스터 |
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[KST2015077486][한국전자통신연구원] |
비대칭 티형 게이트전극을 갖는 화합물 반도체소자의제조방법 |
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[KST2015077851][한국전자통신연구원] |
전계효과 트랜지스터의 제조 방법 |
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