| 1 |
1
챔버에서, 금속 입자를 기판에 증착시켜, 다공성 구조를 갖는 다공성 금속 박막을 형성하는 단계; 및상기 형성된 다공성 금속 박막의 금속 입자가 서로 뭉치지 않으면서 산화 되도록 산소가 포함된 가스를 소스로 하여 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 처리함으로써 다공성 금속 산화물 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 다공성 금속 박막을 형성하는 단계에서의 상기 금속은, 구리(Cu), 철(Fe), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 크롬(Cr), 바나듐(V), 마그네슘(Mg) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물 박막을 형성하는 단계에서의 상기 유도 결합 플라즈마 처리는, 단위면적당 RF power 0
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물 박막을 형성하는 단계에서의 상기 유도 결합 플라즈마 처리는, 처리 시간 0
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 박막을 형성하는 단계는,형성하려는 다공성 금속 박막의 금속 입자 목표 직경을 설정하는 단계; 및 상기 설정된 목표 직경을 갖는 금속 입자를 포함하는 다공성 금속 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물 박막을 형성하는 단계에서 형성된 상기 다공성 금속 산화물 박막은, BET 비표면적 5 ㎡/g 내지 200 ㎡/g 의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물 박막을 형성하는 단계 이후에, 상기 다공성 금속 산화물 박막을 열처리하여 결정성을 향상시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 열처리는, 300 ℃ 내지 800 ℃ 의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 열처리는, 30 min 내지 300 min 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 따른 유도 결합 플라즈마를 이용한 다공성 금속 산화물 박막의 제조방법을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 다공성 금속 산화물 박막
|
