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반도체 소자의 제1 전극에 바이어스 전원을 공급하는 제1 소스미터유닛과;상기 제1 전극의 전류 신호를 측정하는 오실로스코프와;반도체 소자의 상측에 위치하여 영상을 촬영하는 카메라와;상기 제1 소스미터유닛에 연결되어 제1 소스미터유닛의 바이어스 전원공급 제어신호를 출력하고, 상기 오실로스코프에 연결되어 측정 전류값을 입력받으며, 상기 카메라에 연결되어 상기 바이어스 전원공급 제어신호에 연동하여 카메라 작동신호를 출력시키는 컴퓨터로;구성되어2 전극 반도체 소자에 상기 제1 소스미터유닛을 연결시키고, 상기 컴퓨터로 상기 2 전극 반도체 소자의 V-I 특성을 따라 제1 소스미터유닛의 바이어스 전원을 순차 단위증가시키면서, 상기 카메라로 각 바이어스 전원에 대한 반도체 소자의 전계발광 영상을 획득하여 반도체 소자의 불량을 분석하는 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제1항에 있어서 상기 반도체 불량분석 장치는 상기 컴퓨터에 연결되어 바이어스 전원공급 제어신호를 전달받아 반도체 소자의 제2 전극에 바이어스 전원을 공급하는 제2 소스미터유닛을; 더 포함하여 구성되어3 전극 반도체 소자의 제1 전극에 상기 제1 소스미터유닛을 연결시키고, 제2 전극에 상기 제2 소스미터유닛을 연결시키며, 상기 컴퓨터로 상기 3 전극 반도체 소자의 V-I 특성을 따라 제1 소스미터유닛 또는 제2 소스미터유닛의 바이어스 전원을 순차 단위증가시키면서, 상기 카메라로 각 바이어스 전원에 대한 반도체 소자의 전계발광 영상을 획득하여 반도체 소자의 불량을 분석하는 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제1항에 있어서 상기 2 전극 반도체는다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제2항에 있어서 상기 3 전극 반도체는 MOSFET으로서, 상기 제1 소스미터유닛은 MOSFET의 드레인 전극에 연결되고, 상기 제2 소스미터유닛은 MOSFET의 게이트 전극에 연결되며,상기 오실로스코프는 MOSFET의 드레인 전극에 연결되어 상기 컴퓨터로 상기 MOSFET 반도체 소자의 V-I 특성을 따라 제1 소스미터유닛 또는 제2 소스미터유닛의 바이어스 전원을 순차 단위증가시키면서, 상기 카메라로 각 바이어스 전원에 대한 반도체 소자의 전계발광 영상을 획득하여 반도체 소자의 불량을 분석하는 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제1항에 있어서 상기 컴퓨터는저장매체에제1 소스미터유닛과 오실로스코프의 바이어스 전압의 초기값, 최대설정값 및 단위 증가값을 포함하는 동작조건을 설정하는 단계와; 제1 소스미터유닛을 통해 바이어스 전압을 공급시키는 단계와; 카메라의 셔터 작동신호를 출력시키는 단계와; 오실로스코프에서 제1 전극의 전류을 입력받는 단계와; 상기 카메라에서 영상을 획득하는 단계와;상기 바이어스 전압을 최대 설정값과 비교하여 작으면 바이어스 전압을 미리 설정된 단위 증가값만큼 상승시킨 후, 상기 바이어스 전압을 공급시키는 단계부터 반복시키는 단계;상기 바이어스 전압을 최대 설정값과 비교하여 같거나 크면 종료시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 어플리케이션이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제2항에 있어서 상기 컴퓨터는저장매체에제1 소스미터유닛, 제2 소스미터유닛 및 오실로스코프의 각 바이어스 전압 최대설정값과 각 단위 증가값을 포함하는 동작조건을 설정하는 단계와; 제2 소스미터유닛을 통해 제2 전극에 제2 바이어스 전압을 공급시키는 단계와; 카메라의 셔터 작동신호를 출력시키는 단계와; 제1 소스미터유닛을 통해 제1 전극에 제1 바이어스 전압을 공급시키는 단계와; 오실로스코프에서 제1 전극의 전류을 입력받는 단계와; 상기 카메라에서 영상을 획득하는 단계와;상기 제1 바이어스 전압을 최대 설정값과 비교하여 작으면, 미리 설정된 단위 증가값만큼 상승시켜 제2 바이어스 전압을 공급시키는 단계부터 반복시키고, 상기 제1 바이어스 전압을 최대 설정값과 비교하여 크거나 같으면 상기 제2 바이어스 전압을 최대 설정값과 비교하는 단계와;상기 제2 바이어스 전압이 최대 설정값보다 작으면, 제2 바이어스 전압은 미리 설정된 단위 증가값만큼 상승시키고 상기 제1 바이어스 전압은 초기값으로 변환시킨 후 상기 제2 바이어스 전압을 공급시키는 단계부터 반복시키고, 상기 제2 바이어스 전압이 최대 설정값보다 크거나 같으면 종료시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 어플리케이션이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제6항에 있어서 상기 컴퓨터는제1 소스미터유닛, 제2 소스미터유닛 및 오실로스코프의 바이어스 전압과 전류를 연산하여반도체 소자의 V-I 특성 그래프를 출력시키는 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제7항에 있어서 상기 컴퓨터는상기 카메라에서 획득한 영상을 연속 가공하여, 각 프레임당 제1 바이어스 전압, 제1 바이어스 전류, 제2 바이어스 전압이 표시된 동영상으로 출력시키는 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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제7항에 있어서 상기 컴퓨터는 상기 카메라에서 획득한 영상 이미지를 분석하여 불량정보를 연산하고, V-I 특성 그래프에 상기 불량정보를 추가하여 출력시키는 것을 특징으로 하는 반도체 불량분석 장치
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