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기판 상에 나노선 네트워크를 형성하는 단계; 나노선 네트워크를 포함한 기판 전면 상에 희생층을 적층하는 단계; 나노선 네트워크를 제거하여, 나노선 네트워크가 제거된 부위의 기판 표면을 노출시키는 단계; 기판 전면 상에 전도성 물질을 적층하여, 희생층 상에 전도성 물질이 적층됨과 함께 나노선 네트워크가 제거된 부위에 전도성 물질이 채워지는 단계; 및 희생층을 제거하여, 나노선 네트워크가 제거된 부위에 채워진 전도성 물질로 이루어진 전도성 네트워크를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노선 네트워크의 직경 및 밀도 그리고 희생층의 높이는 조절이 가능하며, 나노선 네트워크의 직경 및 밀도 그리고 희생층의 높이 조절을 통해 전도성 네트워크의 선폭, 밀도 및 높이의 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 1 항에 있어서, 나노선 네트워크를 제거하여, 나노선 네트워크가 제거된 부위의 기판 표면을 노출시키는 단계;에서, 나노선 네트워크 상에 존재하는 희생층은 나노선 네트워크와 함께 제거되며, 기판 상에 존재하는 희생층은 잔존하는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 1 항에 있어서, 나노선 네트워크를 제거하여, 나노선 네트워크가 제거된 부위의 기판 표면을 노출시키는 단계;에서, 나노선 네트워크와 희생층은 서로 다른 용해 선택성을 구비하며, 용해액에 의한 나노선 네트워크의 제거시 희생층은 기판 상에 잔존하는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노선 네트워크는 전기방사에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 5 항에 있어서, 전기방사장치의 공정조건을 통해 나노선 네트워크의 직경을 조절할 수 있으며, 전기방사장치의 니들 직경, 니들에 인가되는 전압 그리고 나노선 네트워크를 형성하는 물질이 포함된 용액의 농도 중 적어도 어느 하나 이상의 조절을 통해 기판 상에 형성되는 나노선 네트워크의 직경을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 5 항에 있어서, 전기방사의 공정시간 조절을 통해 나노선 네트워크의 밀도를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유연기판, 반도체 기판, 절연기판, 신축성기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 물질은 도전성 금속, 탄소계 도전성 물질, 전도성 고분자, 전도성 나노입자 중 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법
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