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하기 화학식 1로 표시되는 세라믹을 포함하는 복수의 결정립 벌크(crystal grain bulk)들, 및상기 복수의 결정립 벌크들 사이에 위치하는 입계(grain boundary)를 포함하며,도펀트가 상기 입계에 편석(segregation)된 구조를 가지는, 유전체 세라믹;[화학식 1]ABO3상기 화학식 1에서,상기 A는 Ba를 반드시 포함하며, Ca, Sr, 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있고, 상기 B는 Ti를 반드시 포함하고, Zr, Hf, Sn, 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다
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제1항에서,상기 도펀트는 Mn, Fe, Ni, Co, Al, Ga, 또는 이들의 조합을 포함하는, 유전체 세라믹
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제1항에서,상기 도펀트는 Nb, Ta, La, Sm, Dy, 또는 이들의 조합을 더 포함하는, 유전체 세라믹
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제1항에서,상기 도펀트는 상기 입계의 중심으로부터 5 nm 이내에 상기 도펀트 전체 몰에 대하여 90 몰% 이상이 존재하는, 유전체 세라믹
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제1항에서,상기 도펀트는 상기 입계의 중심으로부터 2 nm 이내에 상기 도펀트 전체 몰에 대하여 85 몰% 내지 95 몰%이 존재하는, 유전체 세라믹
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제1항에서,상기 결정립 벌크는 평균 그레인 지름이 150 nm 이하인, 유전체 세라믹
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제1항에서,상기 도펀트는 상기 세라믹 1 몰부에 대하여 0
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제1항에서,상기 복수의 결정립 벌크들은 1 내지 1
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제1항에서,상기 유전체 세라믹은 100 MHz 이하의 주파수 영역에서 1 % 이하의 유전 손실을 가지는, 유전체 세라믹
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결정화된 세라믹 분말을 준비하는 단계;상기 결정화된 세라믹 분말에 도펀트 전구체를 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 그리고상기 혼합물을 1300 ℃ 이하의 온도에서 소결하는 단계를 포함하는, 유전체 세라믹의 제조 방법
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제10항에서,상기 결정화된 세라믹 분말의 평균 입경은 50 nm 이하인, 유전체 세라믹의 제조 방법
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제10항에서,상기 도펀트 전구체는 MnO, Fe2O3, NiO, CoO, Al2O3, Ga2O3, 또는 이들의 조합을 포함하는, 유전체 세라믹의 제조 방법
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제10항에서,상기 도펀트 전구체는 Nb2O5, Ta2O5, La2O3, Sm2O3, Dy2O3, 또는 이들의 조합을 더 포함하는, 유전체 세라믹의 제조 방법
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제10항에서,상기 도펀트 전구체는 상기 세라믹 분말 1 몰부에 대하여 0
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제10항에서,상기 도펀트 전구체의 평균 입경은 200 nm 이하인, 유전체 세라믹의 제조 방법
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제10항에서,상기 혼합물은 SiO2를 상기 세라믹 분말 100 몰부에 대하여 0
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제10항에서,상기 혼합물의 소결은 1000 ℃ 내지 1300 ℃ 이하의 온도에서 5 시간 이하의 시간 동안 이루어지는, 유전체 세라믹의 제조 방법
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유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및상기 바디에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극;을 포함하고,유전체층은 제1항에 따른 유전체 세라믹을 포함하는, 적층형 전자 부품
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