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SnSe 열전소재의 열전성능 향상 방법

  • 기술번호 : KST2022008584
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, (a) Sn2+ 및 Se2-를 함유한 혼합물을 가열하는 단계; (b) 상기 혼합물을 0 초과 3 K/h 이하의 속도로 냉각하는 단계; 및 (c) 단결정의 Sn1-xSe(0003c#x003c#1)를 형성하는 단계;를 포함하는 SnSe 열전 소재 제조방법 및 이에 의해 제조된 Sn 공공(vacancy)을 포함하는 SnSe 열전 소재를 제공한다.
Int. CL H01L 35/16 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01) C01B 19/00 (2006.01.01)
CPC H01L 35/16(2013.01) H01L 35/34(2013.01) C01B 19/007(2013.01)
출원번호/일자 1020200175532 (2020.12.15)
출원인 한국과학기술연구원, 부산대학교 산학협력단, 한국원자력연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0085454 (2022.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
3 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류혜진 서울특별시 성북구
2 황춘규 부산광역시 금정구
3 김규 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-1362157-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0200058-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-1009614-66
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0204515-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-0204514-37
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) Sn2+ 및 Se2-를 함유한 혼합물을 가열하는 단계; (b) 상기 혼합물을 0 초과 3 K/h 이하의 속도로 냉각하는 단계; 및 (c) 단결정의 Sn1-xSe(0003c#x003c#1)를 형성하는 단계;를 포함하는, SnSe 열전 소재 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 단결정의 Sn1-xSe은, PF(power factor) 값이 3 내지 6 μW/cm·K2인,SnSe 열전 소재 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 단결정의 Sn1-xSe은,전기 전도도가 2 내지 20 S·m-1 범위를 가지는,SnSe 열전 소재 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계에서,x 값이 증가함에 따라 Sn1-xSe의 정공이 도핑되는,SnSe 열전 소재 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,냉각속도가 낮아짐에 따라 EVBM(가전자대 최대 에너지)이 증가하는,SnSe 열전 소재 제조방법
6 6
Sn 공공(vacancy)을 포함하고, 단결정의 Sn1-xSe(0003c#x003c#1) 화학식을 가지는,SnSe 열전 소재
7 7
제 6 항에 있어서,PF(power factor) 값이 3 내지 6 μW/cm·K2인,SnSe 열전 소재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 선도연구센터 지원사업 베리곡률 기반 양자현상 연구를 위한 자성 및 위상 물질