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중엔트로피 합금을 이용한 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022008765
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고강도 중엔트로피 합금 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로 보다 구체적으로 본 발명의 박막은 다원계 합금 기지와 Si를 포함하며 FCC(Face Centered Cubic)계 상을 갖는 합금을 포함하여 FCC계 단상을 유지하면서 기존의 전이금속 합금보다 더 높은 강도와 고윤활성을 갖는다.
Int. CL C22C 30/00 (2006.01.01) C22C 1/04 (2006.01.01) C23C 14/14 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210067682 (2021.05.26)
출원인 엘지전자 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0087350 (2022.06.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200177781   |   2020.12.17
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경범 서울특별시 금천구
2 양은수 서울특별시 금천구
3 김정욱 서울특별시 금천구
4 손석수 서울특별시 동대문구
5 김영목 서울특별시 노원구
6 장태진 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2021-0607214-07
2 보정요구서
Request for Amendment		 2021.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0085140-10
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2021-0637223-55
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2022.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0102512-02
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다원계 합금 기지 및 Si를 포함하고, 상기 다원계 합금 기지는 Cr, Co, Ni 및 V 가운데 2종 이상을 포함하며, FCC(Face Centered Cubic)계 상을 갖는 합금을 포함하고,기재 상에 형성된 박막(Thin film)의 형태를 갖는중엔트로피 합금 박막
2 2
제 1항에 있어서,상기 합금은하기 화학식 1로 표시되며FCC(Face Centered Cubic)계 단상을 갖는중엔트로피 합금 박막
3 3
제2항에 있어서,상기 x는0
4 4
제 1항에 있어서,상기 합금은하기 화학식 2로 표시되며FCC(Face Centered Cubic)계 단상을 갖는중엔트로피 합금 박막
5 5
제 1항에 있어서,상기 합금은하기 화학식 3으로 표시되며FCC(Face Centered Cubic)계 단상을 갖는중엔트로피 합금 박막
6 6
모재를 스퍼터링 장치에 로딩하는 단계; 및상기 장치 내부로 Si를 포함하는 반응 가스를 투입하면서 타겟을 스퍼터링하여 상기 모재 표면에 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 타겟은 Cr, Co, Ni 및 V 가운데 2종 이상을 포함하는 합금 타겟인,중엔트로피 합금 박막의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 박막은하기 화학식 1로 표시되며FCC(Face Centered Cubic)계 단상을 갖는중엔트로피 합금 박막의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 x는0
9 9
제 6항에 있어서,상기 박막은하기 화학식 2로 표시되며FCC(Face Centered Cubic)계 단상을 갖는 중엔트로피 합금 박막의 제조방법
10 10
제 6항에 있어서,상기 박막은하기 화학식 1로 표시되며FCC(Face Centered Cubic)계 단상을 갖는 중엔트로피 합금 박막의 제조방법
11 11
제6항에 있어서,상기 Si를 포함하는 반응 가스는HMDSO(헥사메틸디실록산)을 이용하는중엔트로피 합금 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.