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방법은 투명기판 상에 나노 임프린팅 리소그래피 공정을 통하여 희생막 패턴을 형성시키는 단계; 상기 희생막 패턴에 통하여 상기 투명기판의 상부 표면을 노출하도록 노출 영역을 형성시키는 단계; 상기 노출 영역 상에 금속 메쉬 패턴을 형성하는 단계;상기 노출 영역 상에 금속 메쉬 패턴을 형성하는 단계;상기 투명기판으로부터 상기 희생막 패턴을 제거하는 단계; 및상기 금속 메쉬 패턴이 형성된 투명기판 상에 광흡수층을 형성시키는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투명기판은 ITO(Indium doped tin oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), AZO(antimony doped Zinc Oxide), ATO(antimony doped Tin Oxide) 또는 FTO(Fluorine doped tin oxide)인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 메쉬 패턴의 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 메쉬 패턴의 형성은 전기도금, 스핀코팅(spin coating), 스퍼터링(sputtering), 전자 빔 진공증착(e-beam evaportation), 나노트랜스퍼 프린팅(nano transfer printing, nTP) 또는 열 증착(thermal evaporation)에 의하여 형성되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 메쉬 패턴은 상기 투명기판의 면적 대비 10%미만인 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 메쉬 패턴의 간격은 500 nm 내지 100 ㎛인 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광흡수층은 TiO2, ZnO, C3N4, WO3, Bi2WO6, BiVO4, CdS, TaON, CuWO4, ZnFe2O4, Fe2O3, Ta3N5 및 CaFe2O4으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광흡수층은 전기도금, 스핀코팅(spin coating), 스퍼터링(sputtering), 전자 빔 진공증착(e-beam evaportation) 또는 원자층 증착(atomic layer deposition)에 의하여 형성되는 것인 투명전극의 제조방법
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