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질화붕소나노튜브, h-질화붕소 및 세라믹 입자 혼합물을 준비하는 단계; 및질화붕소나노튜브, h-질화붕소 및 세라믹 입자 혼합물로부터 질화붕소나노튜브를 추출하기 위하여 전단응력을 가하는 단계;를 포함하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 1에 있어서, 전단응력은 판상형 h-질화붕소에 집중되는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 1에 있어서, 전단응력은 쿠에트-테일러 반응기를 이용하여 가해지는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 1에 있어서, 세라믹 입자는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 카바이드, 다이아몬드, 베릴륨 옥사이드, 보론 포스파이드, 알루미늄 나이트라이드, 베릴륨 설파이드, 보론 아제나이드, 실리콘, 갈륨 나이트라이드, 알루미늄 포스파이드 및 갈륨 포스파이드 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 1에 있어서, 세라믹 입자는 질화붕소나노튜브 및 h-질화붕소에 물리적 충격을 가하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 1에 있어서, 전단응력이 가해진 질화붕소나노튜브, h-질화붕소 및 세라믹 입자 혼합물을,h-질화붕소는 부유하고, 질화붕소나노튜브 및 세라믹 입자는 침강하도록 소정시간 방치하는 밀도차 분리단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 6에 있어서, 밀도차 분리된 질화붕소나노튜브, h-질화붕소 및 세라믹 입자 혼합물을 여과시켜, h-질화붕소와 질화붕소나노튜브 및 세라믹 입자를 분리하는 여과단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 7에 있어서, 분리된 질화붕소나노튜브 및 세라믹 입자를 소정시간 방치하여 밀도차 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 질화붕소나노튜브의 물리적 정제방법
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청구항 1의 방법에 따라 정제된 질화붕소나노튜브
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질화붕소나노튜브, h-질화붕소 및 세라믹 입자를 투입하여, 질화붕소나노튜브로부터 h-질화붕소를 추출하기 위하여 전단응력을 가하는 전단응력 제공부;전단응력이 가해진 질화붕소나노튜브, h-질화붕소 및 세라믹 입자 혼합물을 여과기를 이용하여 여과시키는 여과부; 및 여과된 혼합물을 동결건조하는 동결건조부;를 포함하는 질화붕소나노튜브 정제장치
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청구항 10에 있어서, 전단응력 제공부는 질화붕소나노튜브 및 h-질화붕소를 투입하는 질화붕소투입구 및 세라믹 입자를 투입하는 세라믹 입자 투입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화붕소나노튜브 정제장치
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질화붕소나노튜브 합성유닛; 및 질화붕소나노튜브 합성유닛에서 합성된 질화붕소나노튜브, h-질화붕소에 세라믹 입자 혼합물을 투입하고, 전단응력을 가하여 질화붕소나노튜브를 정제하는 질화붕소나노튜브 정제유닛;을 포함하는 질화붕소나노튜브 합성 시스템
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