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하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하고, 청색 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수하는 필름:[화학식 1]상기 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기이고,Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 C(CN)2이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기이고, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기 또는 C1 내지 C10 알킬기이다
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2
제1항에서,상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 o-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 또는 치환 또는 비치환된 인데닐기인, 필름
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3
제1항에서,상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기는 치환 또는 비치환된 퓨라닐기(furanyl group), 치환 또는 비치환된 티에닐기(thienyl group), 치환 또는 비치환된 셀레노페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사졸릴기, 치환 또는 비치환된 이소옥사졸릴기, 치환 또는 비치환된 티아졸릴기, 치환 또는 비치환된 이소티아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸릴기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 시놀리닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피리도피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리도피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리도피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티에닐기 또는 치환 또는 비치환된 벤조셀레노페닐기인, 필름
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제1항에서,상기 화학식 1에서 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-1에서 선택되는 작용기인, 필름:[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서, 각각의 방향족 링에 존재하는 -CH-의 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고, *는 결합 위치를 나타낸다
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제1항에서,상기 화학식 1에서 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-2에서 선택되는 작용기인, 필름:[화학식 1-2]상기 화학식 1-2에서, A1 내지 A9는 각각 독립적으로 N 또는 CRk이고(여기서, Rk는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택됨),화학식 (1)의 A1 내지 A5중 1개 내지 3개는 N이고,화학식 (2)와 (3)의 A1 내지 A7중 1개 내지 3개는 N이고,화학식 (4) 내지 (9)의 A1 내지 A9중 1개 내지 4개는 N이고, *는 결합 위치를 나타낸다
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제1항에서,상기 화학식 1에서 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-3에서 선택되는 작용기인, 필름: [화학식 1-3]상기 화학식 1-3에서, 각각의 방향족 링에 존재하는 -CH-의 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고,*는 결합 위치를 나타낸다
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7
제1항에서,상기 화학식 1에서 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-4에서 선택되는 작용기인, 필름: [화학식 1-4]상기 화학식 1-4에서, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa(여기서, Ra는 수소, 중수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기임)이고,A1 내지 A8는 각각 독립적으로 N 또는 CRk이고(여기서, Rk는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택됨),각각의 방향족 링에 존재하는 -CH-의 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고, 화학식 (8)에서 A1 내지 A4중 하나는 결합 자리가 되고, A1 내지 A8중 적어도 하나는 질소(N)이고, *는 결합 위치를 나타낸다
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8
제1항에서,상기 필름은 50 nm 내지 90 nm의 반치폭을 가지는 흡광 곡선을 나타내는, 필름
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9
제1항에서,상기 필름은 460 nm 이하의 중심파장을 가지는 흡광 곡선을 나타내는, 필름
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10
서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 그리고상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하고,상기 활성층은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 광전 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기이고,Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 C(CN)2이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기이고, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기 또는 C1 내지 C10 알킬기이다
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11
제10항에서,상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 o-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 또는 치환 또는 비치환된 인데닐기인, 광전 소자
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12
제10항에서,상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기는 치환 또는 비치환된 퓨라닐기(furanyl group), 치환 또는 비치환된 티에닐기(thienyl group), 치환 또는 비치환된 셀레노페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사졸릴기, 치환 또는 비치환된 이소옥사졸릴기, 치환 또는 비치환된 티아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸릴기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 시놀리닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피리도피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리도피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리도피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티에닐기 또는 치환 또는 비치환된 벤조셀레노페닐기인, 광전 소자
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제10항에서,상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-1에서 선택되는 작용기인, 광전 소자:[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서, 각각의 방향족 링에 존재하는 -CH-의 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고, *는 결합 위치를 나타낸다
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제10항에서, 상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-2에서 선택되는 작용기인, 광전 소자:[화학식 1-2]상기 화학식 1-2에서, A1 내지 A9는 각각 독립적으로 N 또는 CRk이고(여기서, Rk는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택됨),화학식 (1)의 A1 내지 A5중 1개 내지 3개는 N이고,화학식 (2)와 (3)의 A1 내지 A7중 1개 내지 3개는 N이고,화학식 (4) 내지 (9)의 A1 내지 A9중 1개 내지 4개는 N이고, *는 결합 위치를 나타낸다
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제10항에서,상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-3에서 선택되는 작용기인, 광전 소자: [화학식 1-3]상기 화학식 1-3에서, 각각의 방향족 링에 존재하는 -CH-의 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고,*는 결합 위치를 나타낸다
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16
제10항에서,상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로 방향족 탄화수소기는 하기 화학식 1-4에서 선택되는 작용기인, 광전 소자: [화학식 1-4]상기 화학식 1-4에서, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa(여기서, Ra는 수소, 중수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기임)이고,A1 내지 A8는 각각 독립적으로 N 또는 CRk이고(여기서, Rk는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택됨),각각의 방향족 링에 존재하는 -CH-의 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고, 화학식 (8)에서 A1 내지 A4중 하나는 결합 자리가 되고, A1 내지 A8중 적어도 하나는 질소(N)이고, *는 결합 위치를 나타낸다
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17
제10항에서,상기 활성층은 50 nm 내지 90 nm의 반치폭을 가지는 흡광 곡선을 나타내는, 광전 소자
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제10항에서,상기 활성층은 460 nm 이하의 중심파장을 가지는 흡광 곡선을 나타내는, 광전 소자
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제10항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 광전 소자를 포함하는 이미지 센서
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20
제19항에서,녹색 파장 영역의 광을 감지하는 복수의 제1 광 감지 소자 및 적색 파장 영역의 광을 감지하는 복수의 제2 광 감지 소자가 집적되어 있는 반도체 기판, 그리고상기 반도체 기판의 상부에 위치하고 청색 파장 영역의 광을 선택적으로 감지하는 광전 소자를 포함하고, 상기 광전 소자는 상기 광전 소자인, 이미지 센서
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21
제20항에서,녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 투과하는 녹색 필터와 적색 파장 영역의 광을 선택적으로 투과하는 적색 필터를 포함하는 색 필터 층을 더 포함하는 이미지 센서
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제20항에서,상기 제1 광 감지 소자와 상기 제2 광 감지 소자는 반도체 기판에서 수직 방향으로 적층되어 있는 이미지 센서
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23
제19항에서,적색 파장 영역의 광을 감지하는 적색 광전 소자, 녹색 파장 영역의 광을 감지하는 녹색 광전 소자 및 청색 파장 영역의 광을 감지하는 청색 광전 소자가 적층되어 있고, 상기 청색 광전 소자는 상기 광전 소자인 이미지 센서
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제19항에 따른 이미지 센서를 포함하는 전자 장치
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