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페로브스카이트 장치 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019031095
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 페로브스카이트 장치 및 그 형성 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예들에 따른 페로브스카이트 장치는 기판, 상기 기판 위에 배치되고, 리세스 또는 홀을 갖는 패턴 형성막 및 상기 리세스 또는 상기 홀에 배치되는 페로브스카이트 패턴을 포함할 수 있다. 상기 페로브스카이트 장치의 형성 방법은 기판 위에 예비 패턴 형성막을 형성하는 단계, 상기 예비 패턴 형성막을 패터닝하여 리세스 또는 홀을 갖는 패턴 형성막을 형성하는 단계 및 상기 리세스 또는 상기 홀에 페로브스카이트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01)
출원번호/일자 1020180067009 (2018.06.11)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0140329 (2019.12.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대형 인천광역시 연수구
2 김준수 서울특별시 관악구
3 이종하 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0571821-29
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0094337-14
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0714328-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0249115-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0573462-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0573629-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0735792-76
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-1165365-12
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.11.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1165282-10
13 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2019.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-1197140-30
14 보정요구서
Request for Amendment
2019.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0186364-62
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0915483-40
16 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5007604-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 배치되고, 리세스 또는 홀을 갖는 패턴 형성막; 및상기 리세스 또는 상기 홀에 배치되는 페로브스카이트 패턴을 포함하며,상기 패턴 형성막은,무기막 패턴 및상기 무기막 패턴 위에 배치되는 유기막 패턴을 포함하고,상기 무기막 패턴은,제1 무기막 및 상기 제1 무기막 위에 배치되는 제2 무기막 패턴을 포함하고,상기 제1 무기막과 상기 제2 무기막 패턴은 식각비가 다르며,상기 제2 무기막 패턴의 두께를 조절하는 것에 의해 상기 리세스 또는 상기 홀의 높이가 조절되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 무기막 패턴은 친수성을 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 유기막 패턴은 소수성을 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 리세스는 트렌치인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 기판은 친수성을 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
9 9
기판 위에 예비 패턴 형성막을 형성하는 단계;상기 예비 패턴 형성막을 패터닝하여 리세스 또는 홀을 갖는 패턴 형성막을 형성하는 단계; 및상기 리세스 또는 상기 홀에 페로브스카이트 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,상기 예비 패턴 형성막 형성 단계는,상기 기판 위에 무기막을 형성하는 단계 및상기 무기막 위에 유기막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 무기막 형성 단계는
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 9 항에 있어서,상기 무기막은 고주파를 이용한 스퍼터링으로 상기 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
13 13
삭제
14 14
제 9 항에 있어서,상기 유기막은 자기조립 단분자막(SAM)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
15 15
제 9 항에 있어서,상기 리세스는 트렌치인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
16 16
제 9 항에 있어서,상기 페로브스카이트 패턴을 형성하는 단계는,상기 패턴 형성막 위에 페로브스카이트 전구체 용액을 제공하여 스핀 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 산학협력단 기초과학연구원외부연구단 나노입자의 합성과 의료, 에너지 분야 응용