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금속 칼코겐 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2022009559
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 화학증폭리간드가 도입된 금속칼코겐 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 금속 칼코겐 박막의 형성과 박막의 패터닝이 동시에 가능한 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
Int. CL C07C 219/04 (2006.01.01) G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 7/26 (2006.01.01) C07C 309/26 (2006.01.01) C07C 229/06 (2006.01.01) C01B 17/20 (2006.01.01)
CPC C07C 219/04(2013.01) C07C 309/26(2013.01) C07C 229/06(2013.01) C01B 17/20(2013.01) G03F 7/0043(2013.01) G03F 7/20(2013.01) G03F 7/26(2013.01)
출원번호/일자 1020210000270 (2021.01.04)
출원인 한국화학연구원, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0098497 (2022.07.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임보규 대전광역시 유성구
2 김명길 서울특별시 강남구
3 박종목 대전광역시 유성구
4 정서현 대전광역시 유성구
5 공호열 대전광역시 유성구
6 정유진 대전광역시 유성구
7 김예진 대전광역시 유성구
8 전승주 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2021-0002993-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화학증폭리간드를 포함하는 금속 칼코겐 화합물
2 2
제 1항에 있어서,상기 화학식 1의 R1은 수소, C1-C6알킬 또는 C2-C6알케닐이고, R2는 C1-C6알킬렌 또는 C6-C12아릴렌인 것인, 금속 칼코겐 화합물
3 3
제 1항에 있어서,상기 화학식 1의 M은 In 또는 Sn이고, X는 S 또는 Se인 것인, 금속 칼코겐 화합물
4 4
제 1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 광 조사에 의해 분해되는 성질을 가지는 것인, 금속 칼코겐 화합물
5 5
제 4항에 있어서,상기 화학식 1은 광 조사에 의한 분해 후, 2차원 금속 칼코겐을 형성하는 것인, 금속 칼코겐 화합물
6 6
제 1항에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 금속 칼코겐 화합물 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물
7 7
제 6항에 있어서,상기 금속 칼코겐 화합물과 상기 용매는 1:10 내지 1:100 중량비로 포함되며, 상기 용매는 (NH4)2S와 물을 1:10 내지 1:20 중량비로 포함하는, 포토레지스트 조성물
8 8
(a)제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 포토레지스트 조성물을 기판에 코팅하는 단계;(b)상기 기판의 필요 영역에 선택적으로 광 조사를 하여, 상기 필요 영역에 금속 칼코겐 박막을 형성하는 단계; 및(c)상기 기판에 현상 용액을 도포하고 현상하여, 패턴화된 금속 칼코겐 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 패턴의 형성 방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 (a)단계의 포토레지스트 조성물을 기판에 코팅하는 방법은 스핀코팅(spin-coating), 바코팅(bar coating), 슬롯 다이(slot-die coating), 그라비아 프린팅(Gravureprinting), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 및 스크린 프린팅(screen printing)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 공정을 포함하는, 패턴의 형성 방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 (b)단계를 통해 형성된 금속 칼코겐 박막은 비수용성 금속 칼코겐으로 이루어지는 박막인, 패턴의 형성 방법
11 11
제 8항에 있어서,상기 (b)단계의 광의 파장은 400nm~5nm범위를 포함하는, 패턴의 형성 방법
12 12
제 8항에 있어서, 상기 (c)단계의 현상 용액은 (NH4)2S 및 물을 0:100 내지 1:100 중량비로 포함하는, 패턴의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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