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디스플레이 장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2022010099
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제조공정을 단순화하고, 제조 과정 또는 제조 이후 사용 과정에서의 불량 발생을 최소화할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 아일랜드 형상(isolated shpae)의 금속층, 상기 금속층을 덮는 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 위치하며, 상기 금속층과 중첩하고, 제1채널영역과, 상기 제1채널영역의 일측에 위치한 제1소스영역과, 상기 제1채널영역의 타측에 위치한 제1드레인영역을 포함하는 제1반도체층, 상기 제1반도체층의 적어도 일부의 상면과 측면을 덮는 게이트절연층 및 상기 게이트절연층의 상면을 덮고, 상기 게이트절연층의 측면을 덮으며 상기 기판의 상면 방향으로 연장되는, 제1상부 게이트전극을 구비하는, 디스플레이 장치를 제공한다.
Int. CL H01L 27/12 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01)
CPC H01L 27/1218(2013.01) H01L 27/1222(2013.01) H01L 27/124(2013.01) H01L 27/1262(2013.01) H01L 27/3244(2013.01)
출원번호/일자 1020200168714 (2020.12.04)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0079757 (2022.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박근철 경기도 용인시 기흥구
2 오새룬터 서울특별시 서초구
3 김기환 경기도 안양시 동안구
4 박준석 경기도 용인시 기흥구
5 이지환 인천광역시 부평구
6 임준형 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-1316672-35
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 아일랜드 형상(isolated shpae)의 금속층;상기 금속층을 덮는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하며, 상기 금속층과 중첩하고, 제1채널영역과, 상기 제1채널영역의 일측에 위치한 제1소스영역과, 상기 제1채널영역의 타측에 위치한 제1드레인영역을 포함하는 제1반도체층;상기 제1반도체층의 적어도 일부의 상면과 측면을 덮는 게이트절연층; 및상기 게이트절연층의 상면을 덮고, 상기 게이트절연층의 측면을 덮으며 상기 기판의 상면 방향으로 연장되는, 제1상부 게이트전극;을 구비하는, 디스플레이 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 제1반도체층과 중첩하는 금속층과 일체(一體)인 제1하부 게이트전극;을 더 구비하는, 디스플레이 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 제1상부 게이트전극은 상기 제1하부 게이트전극의 상면과 접촉하는, 디스플레이 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 제1상부 게이트전극은, 상기 제1반도체층과 중첩하는 버퍼층의 측면을 덮는, 디스플레이 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 제1상부 게이트전극으로 덮인 버퍼층의 측면과 상기 제1상부 게이트전극으로 덮인 게이트절연층의 측면은 단차를 형성하지 않는, 디스플레이 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 제1반도체층의 적어도 일부는 상기 제1채널영역을 포함하는, 디스플레이 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 버퍼층 상에 위치하며, 상기 금속층과 중첩하고, 제2채널영역과, 상기 제2채널영역의 일측에 위치한 제2소스영역과, 상기 제2채널영역의 타측에 위치한 제2드레인영역을 포함하는 제2반도체층;을 더 구비하는, 디스플레이 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 버퍼층은,상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층 중 적어도 하나와 중첩하는 제1버퍼층 및 상기 제1버퍼층을 덮는 제2버퍼층을 포함하는, 디스플레이 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 제1버퍼층의 수소 함량은 상기 제2버퍼층의 수소 함량보다 높은, 디스플레이 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 제1버퍼층은 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드를 포함하고,상기 제2버퍼층은 실리콘옥사이드를 포함하는, 디스플레이 장치
11 11
기판 상에 아일랜드 형상(isolated shape)의 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에, 상기 금속층과 중첩하고, 제1채널영역과, 상기 제1채널영역의 일측에 위치한 제1소스영역과, 상기 제1채널영역의 타측에 위치한 제1드레인영역을 포함하는 제1반도체층을 형성하는 단계;상기 제1반도체층의 적어도 일부의 상면과 측면을 덮는 게이트절연층을 형성하는 단계; 및상기 게이트절연층의 상면을 덮고, 상기 게이트절연층의 측면을 덮으며 상기 기판의 상면 방향으로 연장되는, 제1상부 게이트전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 제1반도체층과 중첩하는 금속층은 제1하부 게이트전극과 일체(一體)인, 디스플레이 장치 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 제1상부 게이트전극은 상기 제1하부 게이트전극의 상면과 접촉하는, 디스플레이 장치 제조방법
14 14
제11항에 있어서,상기 제1상부 게이트전극은, 상기 제1반도체층과 중첩하는 버퍼층의 측면을 덮는, 디스플레이 장치 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 제1상부 게이트전극으로 덮인 버퍼층의 측면과 상기 제1상부 게이트전극으로 덮인 게이트절연층의 측면은 단차를 형성하지 않는, 디스플레이 장치 제조방법
16 16
제11항에 있어서,상기 제1반도체층의 적어도 일부는 상기 제1채널영역을 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법
17 17
제11항에 있어서,상기 버퍼층 상에, 제2채널영역과, 상기 제2채널영역의 일측에 위치한 제2소스영역과, 상기 제2채널영역의 타측에 위치한 제2드레인영역을 포함하는 제2반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 버퍼층은,상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층 중 적어도 하나와 중첩하는 제1버퍼층 및 상기 제1버퍼층을 덮는 제2버퍼층을 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법
19 19
제18항에 있어서,상기 제1버퍼층의 수소 함량은 상기 제2버퍼층의 수소 함량보다 높은, 디스플레이 장치 제조방법
20 20
제19항에 있어서,상기 제1버퍼층은 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드를 포함하고,상기 제2버퍼층은 실리콘옥사이드를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.