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비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조

  • 기술번호 : KST2014043230
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조가 개시된다. 본 발명에 따른 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조는 기본 유닛 2개가 상하방향으로 배열되는 1차 유닛으로부터 상기 기본 유닛 2n(n은 2 이상의 자연수)개가 상하방향으로 배열되는 n차 유닛으로 확장 배열 가능하다. 기본 유닛은 상하방향으로 나란히 배열된 비정질 박막을 포함하는 셀 2개를 구비한다. 그리고 2개의 셀의 일측을 연결시키는 (+)셀전극과 2개의 셀의 타측을 연결시키는 (-)셀전극을 구비한다. 1차 유닛은 2개의 기본 유닛의 (+)셀전극을 연결시키는 제1 (+)공통전극과 2개의 기본 유닛의 (-)셀전극을 연결시키는 제1 (-)공통전극을 구비한다. n차 유닛은 2개의 n-1차 유닛의 제n-1 (+)공통전극을 연결시키는 제n (+)공통전극과 n-1차 유닛의 제n-1 (-)공통전극을 연결시키는 제n (-)공통전극을 구비한다. 본 발명에 따르면, FALC 공정의 결정화를 위한 배선구조를 개선함으로써 매트릭스 형태로 배열된 모든 비정질 박막에 흐르는 전류밀도를 균일하게 할 수 있게 된다. 따라서 모든 비정질 박막의 균일한 결정화가 가능하게 된다. FALC, TFT-LCD, OLED, 전류밀도, 다결정 실리콘
Int. CL H01L 27/12 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/1274(2013.01)H01L 27/1274(2013.01)H01L 27/1274(2013.01)H01L 27/1274(2013.01)
출원번호/일자 1020080076761 (2008.08.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0971409-0000 (2010.07.14)
공개번호/일자 10-2010-0018135 (2010.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.06)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 광진구
2 김영배 대한민국 경기 용인시 처인구
3 유정선 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0563651-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0030688-19
4 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0296465-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
비정질 박막을 포함하는 셀 2개가 상하방향으로 나란히 배열되며, 상기 배열된 2개의 셀과, 상기 2개의 셀의 일측을 연결시키는 (+)셀전극과, 상기 2개의 셀의 타측을 연결시키는 (-)셀전극을 구비하는 기본 유닛 2개가 상하방향으로 배열되는 1차 유닛으로부터 상기 기본 유닛 2n(n은 2 이상의 자연수)개가 상하방향으로 배열되는 n차 유닛으로 확장 배열 가능한 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조로서, 상기 1차 유닛은 상하방향으로 나란히 배열된 2개의 상기 기본 유닛과, 상기 2개의 기본 유닛의 (+)셀전극을 연결시키는 제1 (+)공통전극과, 상기 2개의 기본 유닛의 (-)셀전극을 연결시키는 제1 (-)공통전극을 구비하고, 상기 n차 유닛은 상하방향으로 나란히 배열된 2개의 n-1차 유닛과, 상기 2개의 n-1차 유닛의 제n-1 (+)공통전극을 연결시키는 제n (+)공통전극과, 상기 2개의 n-1차 유닛의 제n-1 (-)공통전극을 연결시키는 제n (-)공통전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 n차 유닛에 구비된 모든 셀은 동일한 복수 개의 비정질 박막이 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 n차 유닛에 구비된 모든 비정질 박막은 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
4 4
제3항에 있어서, 상기 비정질 박막은 비정질 실리콘 채널 영역과 상기 비정질 실리콘 채널 영역 양측에 형성된 소스 영역과 드레인 영역으로 이루어진 TFT 소자이며, 상기 (+)셀전극은 소스 전극, 상기 (-)셀전극은 드레인 전극인 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
5 5
제4항에 있어서, 상기 n차 유닛은 TFT-LCD 기판이나 OLED 기판에 배열되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 n차 유닛은 상기 제n (+)공통전극에 형성된 (+)전압인가단자와 상기 제n (-)공통전극에 형성된 (-)전압인가단자를 더 구비하고, 상기 (+)전압인가단자와 상기 (-)전압인가단자는 상기 n차 유닛의 동일 측상에 설치되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
7 7
제1항에 기재되어 있는 n차 유닛 2개가 좌우방향으로 나란히 배열되며, 상기 배열된 2개의 n차 유닛과, 상기 2개의 n차 유닛의 제n (+)공통전극을 연결시키는 (+)연결전극과, 상기 2개의 n차 유닛의 제n (-)공통전극을 연결시키는 (-)연결전극을 구비하는 기본 모듈 2개가 좌우방향으로 배열되는 1차 모듈로부터 상기 기본 모듈 2m(m은 2 이상의 자연수)개가 좌우방향으로 배열되는 m차 모듈로 확장 배열 가능한 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조로서, 상기 1차 모듈은 좌우방향으로 나란히 배열된 2개의 상기 기본 모듈과, 상기 2개의 기본 모듈의 (+)연결전극을 연결시키는 제1 (+)결합전극과, 상기 2개의 기본 모듈의 (-)연결전극을 연결시키는 제1 (-)결합전극을 구비하고, 상기 m차 모듈은 좌우방향으로 나란히 배열된 2개의 m-1차 모듈과, 상기 2개의 m-1차 모듈의 제n-1 (+)결합전극을 연결시키는 제m (+)결합전극과, 상기 2개의 m-1차 모듈의 제m-1 (-)결합전극을 연결시키는 제m (-)결합전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
8 8
제7항에 있어서, 상기 m차 모듈에 구비된 모든 셀은 동일한 복수 개의 비정질 박막이 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
9 9
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 m차 모듈에 구비된 모든 비정질 박막은 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
10 10
제9항에 있어서, 상기 비정질 박막은 비정질 실리콘 채널 영역과 상기 비정질 실리콘 채널 영역 양측에 형성된 소스 영역과 드레인 영역으로 이루어진 TFT 소자이며, 상기 (+)셀전극은 소스 전극, 상기 (-)셀전극은 드레인 전극인 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
11 11
제10항에 있어서, 상기 m차 모듈은 TFT-LCD 기판이나 OLED 기판에 배열되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
12 12
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 m차 모듈은 상기 제m (+)결합전극에 형성된 (+)전압인가단자와 상기 제m (-)결합전극에 형성된 (-)전압인가단자를 더 구비하고, 상기 (+)전압인가단자와 상기 (-)전압인가단자는 상기 m차 모듈의 동일 측상에 설치되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조
13 13
기판 상에 제1항 또는 제2항에 기재되어 있는 배선구조를 형성하는 단계; 상기 배선구조에 구비된 제n (+)공통전극에 (+)전압인가단자를 형성하고, 상기 배선구조에 구비된 제n (-)공통전극에 (-)전압인가단자를 형성하는 단계; 및 상기 (+)전압인가단자와 상기 (-)전압인가단자를 통해 전압을 인가하며, 상기 비정질 박막을 결정화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 기판은 TFT 어레이 기판이고, 상기 비정질 박막은 비정질 실리콘 채널 영역과 상기 비정질 실리콘 채널 영역 양측에 형성된 소스 영역과 드레인 영역으로 이루어진 TFT 소자이며, 상기 (+)셀전극은 소스 전극, 상기 (-)셀전극은 드레인 전극인 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 TFT 어레이 기판은 TFT-LCD 기판이나 OLED 기판에 적용되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 (+)전압인가단자와 상기 (-)전압인가단자는 상기 TFT 어레이 기판의 동일 측상에 배치되도록 배선하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
17 17
기판 상에 제7항 또는 제8항에 기재되어 있는 배선구조를 형성하는 단계; 상기 배선구조에 구비된 제m (+)결합전극에 (+)전압인가단자를 형성하고, 상기 배선구조에 구비된 제m (-)결합전극에 (-)전압인가단자를 형성하는 단계; 및 상기 (+)전압인가단자와 상기 (-)전압인가단자를 통해 전압을 인가하며, 상기 비정질 박막을 결정화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 기판은 TFT 어레이 기판이고, 상기 비정질 박막은 비정질 실리콘 채널 영역과 상기 비정질 실리콘 채널 영역 양측에 형성된 소스 영역과 드레인 영역으로 이루어진 TFT 소자이며, 상기 (+)셀전극은 소스 전극, 상기 (-)셀전극은 드레인 전극인 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 TFT 어레이 기판은 TFT-LCD 기판이나 OLED 기판에 적용되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
20 20
제18항에 있어서, 상기 (+)전압인가단자와 상기 (-)전압인가단자는 상기 TFT 어레이 기판의 동일 측상에 배치되도록 배선하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막의 결정화방법
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