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트리플 트렌치 구조를 구비하는 SiC 트랜지스터 및 그것의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022011564
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트리플 트랜치 구조의 SiC 트랜지스터에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은, 제 1 도전 타입의 제 1 반도체 영역, 상기 제 1 반도체 영역에 제 1 깊이로 형성된 게이트 트렌치, 상기 제 1 반도체 영역에 제 2 깊이로 형성되는 제 1 전계 완화 트렌치, 및 상기 제 1 반도체 영역에 제 3 깊이로 형성되는 제 2 전계 완화 트렌치를 포함하는 것을 특징으로 하는, SiC 트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/08 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7813(2013.01) H01L 29/0696(2013.01) H01L 29/0856(2013.01)
출원번호/일자 1020200188107 (2020.12.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0096009 (2022.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노한솔 경상북도 포항시 남구
2 김성준 경상북도 포항시 남구
3 신훈규 경상남도 양산시
4 강민재 경상북도 포항시 남구
5 성민제 경상북도 구미시
6 이남석 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리담 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 *-**, *층 (거영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1435866-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0017502-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0119503-10
5 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2022.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0399719-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2022-0474414-80
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0474408-16
8 등록결정서
Decision to grant		 2022.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0489252-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SiC 트랜지스터에 있어서,제 1 도전 타입의 에피텍시얼층;상기 제 1 반도체 영역에 제 1 깊이로 형성된 게이트 트렌치;상기 제 1 반도체 영역에 제 2 깊이로 형성되는 제 1 전계 완화 트렌치; 및상기 제 1 반도체 영역에 제 3 깊이로 형성되는 제 2 전계 완화 트렌치를 포함하는 것을 특징으로 하는,SiC 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전계 완화 트렌치는 측벽을 공유하는 하나의 트렌치로 형성되고,상기 제 1 및 제 2 전계 완화 트렌치의 바닥면은 계단 형태로 상기 제 2 및 제 3 깊이를 각각 형성하는 것을 특징으로 하는,SiC 트랜지스터
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제 2 깊이는 상기 제 3 깊이 보다 깊은 것을 특징으로 하는,SiC 트랜지스터
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제 2 전계 완화 트렌치가 형성되는 영역은 상기 제 1 전계 완화 트렌치가 형성되는 영역과 겹치는 것을 특징으로 하는,SiC 트랜지스터
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 전계 완화 트랜치는 제 1 너비로 형성되고, 상기 제 2 전계 완화 트랜치는 제 2 너비로 형성되며,상기 제 2 너비는 상기 제 1 너비 보다 더 큰 것을 특징으로 하는,SiC 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서,상기 게이트 트랜치 및 제 1 전계 완화 트랜치 사이에 형성되는 채널층을 더 포함하고,상기 채널층은 상기 제 1 도전 타입과 반대인 제 2 도전 타입으로 형성되는 것을 특징으로 하는,SiC 트랜지스터
7 7
제 6 항에 있어서,상기 채널층의 상면에 형성되는 소스층을 더 포함하고,상기 소스층은 상기 제 1 도전 타입으로 형성되는 것을 특징으로 하는,SiC 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 포항공과대학교 해외우수기관유치(R＆D) 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터
2 산업통상자원부 주식회사 케이이씨 소재부품산업미래성장동력(R＆D) 전기자동차 및 신재생에너지용 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발