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자성 전사 장치와 자성 전자 장치의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022014596
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전사 장치는, 자속을 제공하는 기자력 소스; 상기 기자력 소스의 일단에 연결되고 하나의 입력단과 복수의 출력단들을 구비하고 자속을 분배하는 제1 자속 분배 회로; 및 상기 기자력 소스의 타단에 연결되고 하나의 출력단과 복수의 입력단을 구비하고 분배된 자속을 모으는 제2 자속 분배 회로;를 포함한다. 상기 제1 자속 분배 회로의 출력단들은 상기 제2 자속 분배 회로의 입력단들과 서로 쌍을 이루도록 이웃하게 배치된다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/52 (2006.01.01) H01L 21/683 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01) H01L 25/075 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67144(2013.01) H01L 21/52(2013.01) H01L 21/6835(2013.01) H01L 22/30(2013.01) H01L 21/67271(2013.01) H01L 25/0753(2013.01) H01L 2221/68368(2013.01)
출원번호/일자 1020210012966 (2021.01.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0109676 (2022.08.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 서울특별시 서초구
2 이다훈 서울특별시 성북구
3 김종호 경기도 평택시 세교*로 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0119569-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.10.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2022.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0110345-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0505905-59
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.07.25 1-1-2022-0771690-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-0771687-60
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번호 청구항
1 1
자속을 제공하는 기자력 소스;상기 기자력 소스의 일단에 연결되고 하나의 입력단과 복수의 출력단들을 구비하고 자속을 분배하는 제1 자속 분배 회로; 및상기 기자력 소스의 타단에 연결되고 하나의 출력단과 복수의 입력단을 구비하고 분배된 자속을 모으는 제2 자속 분배 회로;를 포함하고,상기 제1 자속 분배 회로의 출력단들은 상기 제2 자속 분배 회로의 입력단들과 서로 쌍을 이루도록 이웃하게 배치되는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치
2 2
제1 항에 있어서,서로 쌍을 이루는 상기 제1 자속 분배 회로의 출력단과 상기 제2 자속 분배 회로의 입력단 사이에 LED 소자의 자성층이 배치되고,상기 기자력 소스, 상기 제1 자속 분배 회로, 및 상기 제2 자속 분배 회로는 폐 자기 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치
3 3
제1 항에 있어서,상기 제1 자속 분배 회로는 상기 제1 자속 분배 회로의 상기 입력단과 상기 제1 자속 분배 회로의 복수의 출력단들 사이의 자기 경로가 동일한 자기 저항을 가지도록 바이너리 트리(binary tree) 구조이고,상기 제2 자속 분배 회로는 상기 제2 자속 분배 회로의 상기 복수의 입력단들과 출력단 사이의 자기 경로가 동일한 자기 저항을 가지도록 바이너리 트리 구조인 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 자속 분배 회로 및 상기 제2 자속 분배 회로는:기판;상기 기판 상에 배치된 제1 비자성층;상기 제1 비자성층 상에 배치된 제2 비자성층;상기 기판을 관통하는 제1 자성 비아들;상기 기판 및 상기 제1 비자성층을 관통하는 제2 자성 비아들;상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 자성 비아들을 서로 연결하는 제1 자속 분배 패턴; 상기 제1 비자성층 상에 배치되고 상기 제2 자성 비아들을 연결하는 제2 자속 분배 패턴;상기 제1 비자성층 및 상기 제2 비자성층을 관통하여 배치되고 상기 자속 분배 패턴과 자기적으로 연결되는 제1 자기 콘택 플러그; 및상기 제2 비자성층을 관통하여 배치되고 상기 제2 자속 분배 패턴과 자기적으로 연결되는 제2 자기 콘택 플러그;를 포함하고,상기 제1 자성 비아들 및 상기 제2 자성 비아들을 한 쌍을 형성하도록 이웃하여 배치되고,상기 제1 자기 콘택 플러그는 상기 기자력 소스의 일단에 연결되고,상기 제2 자기 콘택 플러그는 상기 기자력 소스의 타단에 연결되고,상기 제1 자속 분배 회로의 입력단은 상기 제1 자기 콘택 플러그에 대응하고,상기 제1 자속 분배 회로의 출력단들은 상기 제1 자성 비아들에 대응하고,상기 제2 자속 분배 회로의 출력단은 상기 제2 자기 콘택 플러그에 대응하고,상기 제2 자속 분배 회로의 입력단들은 상기 제2 자성 비아들에 대응하는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치
5 5
제1 항에 있어서,상기 기자력 소스는:상기 제1 자속 분배 회로 및 상기 제2 자속 분배 회로에 자속을 제공하는 코일; 및상기 코일에 의하여 생성된 자속을 감금하는 자성체 코어를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치
6 6
제4 항에 있어서,상기 기자력 소스는:상기 제1 콘택 플러그에 상기 자속을 제공하도록 테이퍼진 형상을 구비한 제1 자성체 코어;상기 제2 콘택 플러그에 상기 자속을 제공하도록 테이퍼진 형상을 구비한 제2 자성체 코어;상기 제1 자성체 코어와 상기 제2 자성체 코어를 서로 연결하는 제3 자성체 코어를 포함하고,상기 제1 내지 제3 자성체 코어 중에서 적어도 하나를 감싸도록 배치된 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치
7 7
제1 항에 있어서,상기 제1 자속 분배 회로 및 상기 제2 자속 분배 회로에 인접하게 배치된 적어도 하나의 저항 소자를 포함하고,상기 저항 소자는 상기 제1 자속 분배 회로 또는 상기 제2 자속 분배 회로를 국부적으로 가열하여 소정의 자기 경로를 차단하는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치
8 8
기판의 하부면에 자성층을 형성하는 단계;상기 기판에 제1 비아홀들 형성하고 상기 제1 비아홀들을 자성체로 채워 제1 자성 비아들을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제1 자성 비아들에 연결된 제1 자속 분배 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 자속 분배 패턴이 형성된 기판 상에 제1 비자성층을 적층하고,상기 제1 비자성층 및 상기 기판을 관통하는 제2 비아홀을 형성한 후, 상기 제2 비아홀을 자성체로 채워 제2 자성 비아를 형성하는 단계; 및 제2 자성 비아들이 형성된 기판 상에 제2 자속 분배 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 자성 전사 장치의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 자속 분배 패턴 및 상기 제2 자속 분배 패턴은 각각 복수의 브랜치를 포함하고, 브랜치들의 길이는 동일한 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 제2 자속 분배 패턴이 형성된 기판 상에 제2 비자성층을 형성하는 단계;상기 제1 비자성층 및 제2 비자성층을 관통하고 상기 제1 자속 분배 패턴에 연결된 제1 자기 콘택 플러그를 형성하는 단계; 및제2 비자성층을 관통하고 상기 제2 자속 분배 패턴에 연결된 제2 자기 콘택 플러그를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 제1 자속 분배 패턴 또는 상기 제2 자속 분배 패턴 상에 적어도 하나의 저항 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 비자성층 및 상기 제2 비자성층을 관통하여 상기 저항 패턴의 양단에 도전성 콘택 플러그를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 전사 장치의 제조 방법
12 12
성장 기판에서 LED 소자들을 제작한 후 상기 LED 소자들 상에 수직 전도성 임시 기판을 부착하는 단계;상기 성장 기판과 상기 LED 소자들을 분리하고 상기 LED 소자들을 수직 전도성 임시 기판에 전사하는 단계;상기 임시 기판에 프로브 회로를 접속하여 상기 LED 소자들을 검사하여 상기 LED 소자들을 특성에 따라 분류하는 단계;상기 LED 소자들에 자성층을 각각 형성하는 단계; 및상기 자성층이 형성된 LED 소자들을 자성 전사 장치를 이용하여 최종 기판에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 검사 및 전사 방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 LED 소자들에 자성층을 각각 형성하는 단계는 소정의 특성을 만족하는 LED 소자들에 상기 자성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 검사 및 전사 방법
14 14
제12 항에 있어서,상기 LED 소자들에 자성층을 각각 형성하는 단계는 모든 LED 소자들에 상기 자성층을 형성하고,상기 자성층이 형성된 LED 소자들을 자성 전사 장치를 이용하여 최종 기판에 전사하는 단계는 소정의 특성을 만족하는 LED 소자들을 픽업하도록 상기 자성 전사 장치의 특정한 자기 경로를 차단하는 것을 특징으로 하는 LED 소자의 검사 및 전사 방법
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LED 소자들을 수직 전도성 임시 기판에 전사한 후 상기 임시 기판에 프로브 회로를 접속하여 상기 LED 소자들을 검사하여 특성을 분석하는 제어부;상기 LED 소자들의 분석된 특성에 기반하여 상기 LED 소자들에 자성층을 각각 형성하는 자성층 프린트부; 및상기 자성층이 형성된 LED 소자들을 최종 기판에 전사하는 자성 전사 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 소자 검사 및 전사 시스템
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제15항에 있어서,상기 자성 전사 장치는:자속을 제공하는 기자력 소스;상기 기자력 소스의 일단에 연결되고 하나의 입력단과 복수의 출력단들을 구비하고 자속을 분배하는 제1 자속 분배 회로; 및상기 기자력 소스의 타단에 연결되고 하나의 출력단과 복수의 입력단을 구비하고 분배된 자속을 모으는 제2 자속 분배 회로;를 포함하고,상기 제1 자속 분배 회로의 출력단들은 상기 제2 자속 분배 회로의 입력단들과 서로 쌍을 이루도록 이웃하게 배치되는 것을 특징으로 하는 LED 소자 검사 및 전사 시스템
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 집단연구지원 극대형화/고신뢰성의 신개념 마이크로/나노 픽셀 디스플레이 기술