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복합 음극 활물질, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 음극 및 리튬 이차전지

  • 기술번호 : KST2022015665
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 복합체를 포함하는 음극 활물질에 있어서, 상기 3차원 복합체는 절곡부를 가지는 실리콘 카바이드계(SiCx, 0003c#x≤1) 나노시트와 비정질 카본을 함유하는 2차 입자를 포함하는 음극 활물질, 이의 제조방법, 및 상기 음극 활물질을 포함하는 음극과 리튬 이차전지를 제공한다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/58 (2015.01.01) H01M 4/48 (2010.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 32/956 (2017.01.01) C01B 32/05 (2017.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/58(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/587(2013.01) H01M 4/625(2013.01) H01M 10/052(2013.01) C01B 32/956(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01P 2004/80(2013.01) C01P 2002/02(2013.01) C01P 2006/40(2013.01)
출원번호/일자 1020200105117 (2020.08.21)
출원인 에스케이온 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0023419 (2022.03.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이온 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박은준 대전광역시 유성구
2 김준섭 대전광역시 유성구
3 성재경 울산광역시 울주군
4 이윤광 울산광역시 울주군
5 이태용 울산광역시 울주군
6 조재필 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0878952-16
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2022.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2022-0063974-07
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2022-5136918-26
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번호 청구항
1 1
3차원 복합체를 포함하는 음극 활물질에 있어서, 상기 3차원 복합체는 절곡부를 가지는 실리콘 카바이드계(SiCx, 0003c#x≤1) 나노시트와 비정질 카본을 함유하는 2차 입자를 포함하는, 음극 활물질
2 2
제1항에서, 상기 실리콘 카바이드계 나노시트는 1 내지 3개의 절곡부를 갖는 것을 특징으로 하는, 음극 활물질
3 3
제1항에서, 상기 실리콘 카바이드계 나노시트는, 총 개수에 대하여 50% 이상의 나노시트가 1 내지 3개의 절곡부를 갖는 것을 특징으로 하는, 음극 활물질
4 4
제1항에서, 상기 실리콘 카바이드계 나노시트의 두께는 10 내지 300 nm인, 음극 활물질
5 5
제1항에서, 상기 비정질 카본은 소프트카본, 하드카본, 메조페이스 피치 탄화물 및 소성된 코크스로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 음극 활물질
6 6
제1항에서, 상기 3차원 복합체는 복합체 입자 내에 균일하게 분산된 상태로 상기 실리콘 카바이드계 나노시트를 포함하는, 음극 활물질
7 7
제1항에서, 상기 3차원 복합체는 상기 실리콘 카바이드계 나노시트와 비정질 카본을 5:5 내지 9:1의 중량비로 포함하는, 음극 활물질
8 8
제1항에서, 상기 3차원 복합체의 입경은 1 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는, 음극 활물질
9 9
수용성 염에 실리콘 카바이드계 화합물 전구체를 코팅하는 CVD(Chemical vapor deposition) 공정;상기 수용성 염을 에칭하여 실리콘 카바이드계(SiCx, 0003c#x≤1) 나노시트를 제조하는 공정; 및상기 실리콘 카바이드계 나노시트와 비정질 카본을 혼합하여 3차원 복합체를 제조하는 공정을 포함하는, 음극 활물질의 제조방법
10 10
제9항에서, 상기 실리콘 카바이드계 화합물 전구체는 실리콘계 무기화합물과 에틸렌계 탄화수소 가스를 포함하는, 음극 활물질의 제조방법
11 11
제9항에서, 상기 CVD 공정은 수용성 염에 실리콘 카바이드계 화합물 전구체를 10 내지 300 nm의 두께로 코팅하는 것인, 음극 활물질의 제조방법
12 12
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 음극 활물질을 포함하는 음극; 양극 활물질을 포함하는 양극; 상기 음극과 양극 사이에 개재되는 분리막; 및 전해액을 포함하는 리튬 이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.