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CMOS 온도 센서 및 이의 동작 방법

  • 기술번호 : KST2022015721
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시는 온도를 측정하는 CMOS 온도 센서 및 이의 동작 방법에 관한 것이다. 일 실시 예에 의하면, 온도를 측정하는 CMOS 온도 센서는 온도에 비례하는 비례 전류에 기초하여 전하를 충전하는 커패시터의 제1 단에서의 전압 값을 온도에 반비례하는 반 비례 전압과 비교하거나, 상기 제1 단의 타측에 형성되는 상기 커패시터의 제2 단에서의 전압 값을 그라운드 전압과 비교함으로써 판독 값을 출력하는 판독 회로; 및 상기 판독 회로에서 출력된 판독 값의 진동 주기에 기초하여 온도를 결정하는 제어부; 를 포함할 수 있다.
Int. CL G01K 7/01 (2006.01.01) H01L 27/06 (2006.01.01) H01L 35/00 (2006.01.01)
CPC G01K 7/01(2013.01) H01L 27/06(2013.01) H01L 35/00(2013.01)
출원번호/일자 1020200156537 (2020.11.20)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0069435 (2022.05.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.20)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성진 울산광역시 울주군
2 신창용 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지원 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, ***호, ***호

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-1248976-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2022.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0129743-18
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번호 청구항
1 1
온도를 측정하는 CMOS 온도 센서에 있어서,온도에 비례하는 비례 전류에 기초하여 전하를 충전하는 커패시터의 제1 단에서의 전압 값을 온도에 반 비례하는 반 비례 전압과 비교하거나, 상기 제1 단의 타측에 형성되는 상기 커패시터의 제2 단에서의 전압 값을 그라운드 전압과 비교함으로써 판독 값을 출력하는 판독 회로; 및상기 판독 회로에서 출력된 판독 값의 진동 주기에 기초하여 온도를 결정하는 제어부; 를 포함하는, CMOS 온도 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 CMOS 온도 센서는상기 온도에 반 비례하는, 바이폴라 정션 트랜지스터들의 베이스 에미터 전압 값들의 차 전압을 상기 바이어스 저항에 인가함에 따라 생성되는 상기 비례 전류를 제공하는 바이어스 회로; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 판독 회로는상기 비례 전류를 제공하는 비례 전류 공급부; 및상기 비례 전류를 미러링함으로써 생성되는 미러링 전류를 이용하여 상기 반 비례 전압을 제공하는 반 비례 전압 공급부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
4 4
제3항에 있어서, 상기 판독 회로는복수의 모스 트랜지스터들의 스위칭 동작에 기초하여, 상기 진동 주기에 따라 상기 반 비례 전압까지 충전되거나, 상기 충전된 전압을 반전한 후, 상기 그라운드 전압까지 충전되는 동작을 반복하는 커패시터; 및제1 입력단 및 제2 입력단을 포함하고, 상기 복수의 모스 트랜지스터들의 스위칭 동작에 따라, 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단에 인가되는 전압을 비교함으로써 상기 판독 값을 출력하는 비교기; 를 포함하는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
5 5
제4항에 있어서, 상기 비교기는상기 제1 입력단의 전압이 상기 제2 입력단의 전압보다 작은 경우 로(LOW) 신호에 대응되는 제1 판독 값을 출력하고, 상기 제2 입력단의 전압이 상기 제2 입력단의 전압보다 큰 경우 하이(HIGH) 신호에 대응되는 제2 판독 값을 출력하는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
6 6
제5항에 있어서,상기 판독 회로에서 상기 제1 판독 값이 출력되는 경우, 상기 복수의 모스 트랜지스터들의 스위칭 동작에 기초하여, 상기 제1 입력단은 상기 커패시터의 제1 단에 연결되고, 상기 제2 입력단은 상기 반비례 전압 공급부에 연결되는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
7 7
제5항에 있어서,상기 판독 회로에서 상기 제2 판독 값이 출력되는 경우, 상기 복수의 모스 트랜지스터들의 스위칭 동작에 기초하여, 상기 제1 입력단은 상기 그라운드 전압에 연결되고, 상기 제2 입력단은 상기 커패시터의 제2 단에 연결되는 것을 특징으로 하는 CMOS 온도 센서
8 8
제5항에 있어서, 상기 판독 회로는상기 판독 회로에서 상기 제1 판독 값이 출력되는 경우 상기 비례 전류 공급부와 상기 제1 단을 연결하는 제1 모스 트랜지스터, 상기 판독 회로에서 상기 제1 판독 값이 출력되는 경우 상기 제2 단과 상기 그라운드 전압을 연결하는 제2 모스 트랜지스터, 상기 판독 회로에서 상기 제1 판독 값이 출력되는 경우 상기 제1 단과 상기 제1 입력단을 연결하는 제3 모스 트랜지스터 및 상기 판독 회로에서 상기 제1 판독 값이 출력되는 경우 상기 제2 입력단 및 상기 반비례 전압 공급부를 연결하는 제4 모스 트랜지스터를 포함하는 제1 모스 트랜지스터 그룹; 및상기 판독 회로에서 상기 제2 판독 값이 출력되는 경우 상기 비례 전류 공급부와 상기 제2 단을 연결하는 제5 모스 트랜지스터, 상기 판독 회로에서 상기 제2 판독 값이 출력되는 경우 상기 제1 단과 상기 그라운드 전압을 연결하는 제6 모스 트랜지스터, 상기 판독 회로에서 상기 제2 판독 값이 출력되는 경우 상기 제2 단과 상기 제2 입력단을 연결하는 제7 모스 트랜지스터 및 상기 판독 회로에서 상기 제2 판독 값이 출력되는 경우 상기 제1 입력단 및 상기 그라운드 전압을 연결하는 제8 모스 트랜지스터를 포함하는 제2 모스 트랜지스터 그룹; 을 포함하는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
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제2항에 있어서, 상기 제어부는상기 판독 회로에서 출력된 판독 값의 진동 주기, 상기 커패시터의 용량 및 상기 바이어스 저항의 저항 값에 기초하여 제1 온도 변수를 결정하고,상기 반 비례 전압의 반 비례 온도 계수 및 상기 바이어스 회로 내 온도에 반 비례하는 바이폴라 정션 트랜지스터들의 베이스 에미터 전압차에 따른 차전압의 비례 온도 계수 비율에 관한 비율 계수를 결정하며,상기 제1 온도 변수 및 상기 비율 계수에 기초하여 제2 온도 변수를 결정하고,상기 제2 온도 변수의 변화 범위를 기 설정된 절대 온도 범위에 선형으로 매칭함으로써 생성되는 선형함수에 상기 제2 온도 변수를 입력함으로써 상기 온도를 결정하는 것인 CMOS 온도 센서
10 10
제9항에 있어서, 상기 제어부는기 설정된 임계 시간이 지난 후, 상기 판독 회로에서 출력된 상기 판독 값의 진동 주기에 기초하여 상기 온도를 결정하는 것을 특징으로 하는 CMOS 온도 센서
11 11
제1항에 있어서, 상기 커패시터는 상기 커패시터의 상판과 하판이 뒤바뀌어 병렬로 연결되는 복수의 커패시터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 온도 센서
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제4항에 있어서, 상기 CMOS 온도 센서는상기 비교기의 판독 정확도를 향상시키기 위해 상기 판독 회로의 출력단에 슈미트(SCHMITT TRIGGER) 회로; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
13 13
제4항에 있어서, 상기 CMOS 온도 센서는상기 복수의 모스 트랜지스터들이 음의 동작 전압에서도 스위칭 동작하도록 상기 판독 회로의 출력단에 부트스트랩(BOOTSTRAPPED) 회로; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
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제2항에 있어서, 상기 바이어스 저항은 온도에 따라서 전기적 특성 변화를 상쇄하기 위해 복수의 저항 중 일부를 직렬 또는 상기 복수의 저항 중 일부를 병렬로 설계함으로써 구성되는 것을 특징으로 하는, CMOS 온도 센서
15 15
제2항에 있어서, 상기 바이어스 회로는서로 다른 크기의 전류를 생성하는 복수의 전류원;상기 복수의 전류원 사이의 미스매치를 해결하기 위한 DEM 로직 모듈;상기 바이어스 회로 내 오프셋으로 인한 노이즈를 감소시키기 위한 쵸핑 회로; 및자체적으로 상기 바이어스 회로 내 전기적 소자의 동작을 제어하기 위한 클록 회로; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 온도 센서
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CMOS 온도 센서가 온도를 측정하는 방법에 있어서,소정의 바이어스 회로로부터 온도에 선형적으로 비례하는 비례 전류 및 상기 온도에 선형적으로 반 비례하는 반 비례 전압을 획득하는 단계;상기 비례 전류에 기초하여 전하를 충전하는 커패시터의 제1 단에서의 전압 값을 온도에 비례하는 비례 전압과 비교하거나, 상기 제1 단의 타측에 형성되는 상기 커패시터의 제2 단에서의 전압 값을 그라운드 전압과 비교함으로써 판독 값을 출력하는 단계;기 설정된 임계 시간이 지난 후 상기 출력된 판독 값의 진동 주기를 식별하는 단계; 및상기 식별된 진동 주기에 기초하여 온도를 결정하는 단계; 를 포함하는, 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 온도를 결정하는 단계는상기 출력된 판독 값의 진동 주기, 상기 커패시터의 용량 및 상기 바이어스 회로 내 바이어스 저항의 저항 값에 기초하여 제1 온도 변수를 결정하는 단계;상기 온도에 선형적으로 비례하는 비례 전압 및 상기 반비례 전압의 온도 계쑤의 비율에 관한 비율 계수를 결정하는 단계;상기 제1 온도 변수 및 상기 비율 계수에 기초하여 제2 온도 변수를 결정하는 단계; 및상기 제2 온도 변수의 변화 범위를 기 설정된 절대 온도 범위에 선형으로 매칭함으로써 생성되는 선형함수에 상기 제2 온도 변수를 입력함으로써 상기 온도를 결정하는 단계; 를 포함하는, 방법
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CMOS 온도 센서가 온도를 측정하는 방법에 있어서,소정의 바이어스 회로로부터 온도에 선형적으로 비례하는 비례 전류 및 상기 온도에 선형적으로 반 비례하는 반 비례 전압을 획득하는 단계;상기 비례 전류에 기초하여 전하를 충전하는 커패시터의 제1 단에서의 전압 값을 상기 온도에 반 비례하는 반 비례 전압과 비교하거나, 상기 제1 단의 타측에 형성되는 상기 커패시터의 제2 단에서의 전압 값을 그라운드 전압과 비교함으로써 판독 값을 출력하는 단계;기 설정된 임계 시간이 지난 후 상기 출력된 판독 값의 진동 주기를 식별하는 단계; 및상기 식별된 진동 주기에 기초하여 온도를 결정하는 단계; 를 포함하는, 방법을 수행하도록 하는 프로그램이 저장된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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1 US20220163402 US 미국 FAMILY

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1 지식경제부 한국반도체산업협회 지능형반도체전문인력양성사업 지능형반도체 전문인력양성
2 지식경제부 에이테크솔루션 핵심기술개발사업 최대 측정거리 50m급 CMOS 기반 차량용 ToF(Time of Flight) 센서, 송수신 광학계 및 신호처리 원천기술 개발