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액상으로 유지되는 식각 전구체를 기화시켜 챔버로 공급하는 단계;상기 식각 전구체가 기판 표면에 흡착되는 흡착 단계;상기 흡착 단계 이후 상기 챔버 내부로 비활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부를 퍼지시키는 제1 퍼지 단계;상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판을 식각시키는 탈착 단계;상기 탈착 단계 이후 상기 챔버 내부로 비활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부를 퍼지시키는 제2 퍼지 단계;를 포함하는 원자층 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소의 화합물인 플루오로카본(Fluorocarbon, CF)계 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소 및 수소의 화합물인 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HCF)계 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 식각 전구체는 진동자(振動子)에 의하여 버블링 방식으로 기화되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제 1 퍼지 단계는,상기 기판 표면에 흡착된 전구체를 제외한 나머지 전구체를 챔버 외부로 배출하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 퍼지 단계는,상기 탈착 단계보다 약한 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 흡착 단계는 상기 기판의 온도 제어 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 챔버 벽면의 온도를 상기 식각 전구체의 끓는점보다 높은 온도로 가열하는 챔버 벽 가열 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제8항에 있어서, 상기 챔버 벽 가열 단계는 적어도 상기 흡착 단계가 진행되는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제9항에 있어서,상기 챔버 벽 가열 단계는 전자기파에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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제10항에 있어서,상기 챔버 벽 가열 단계는 IR 램프, UV 램프, 할로겐 램프, LED, 백열등, 형광등 중 어느 하나의 광원에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법
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기판 처리 공간을 제공하는 챔버;기판을 지지하기 위한 지지 유닛;액상으로 유지되는 식각 전구체를 기화시켜 상기 챔버 내부로 공급하는 가스 공급부를 포함하고,상기 가스 공급부는 상기 액상의 전구체를 보관하기 위한 캐니스터를 포함하는 원자층 식각 장치
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제12항에 있어서,상기 캐니스터는 상기 액상의 전구체를 진동시키기 위한 진동자를 포함하고, 상기 진동자를 이용하여 버블링 방식으로 상기 액상의 전구체를 기화시키는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
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제12항에 있어서,상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소의 화합물인 플루오로카본(Fluorocarbon, CF)계 또는 탄소와 불소 및 수소의 화합물인 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HFC) 계 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
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제12항에 있어서,상기 챔버 벽을 가열하기 위한 챔버 가열 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
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제15항에 있어서,상기 챔버 가열 유닛은 상기 챔버의 벽면을 상기 식각 전구체의 끓는점보다 높은 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
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