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전력반도체 소자의 신뢰성시험을 위한 시험소자의 제1 전극에 전원 스트레스를 공급하는 제1 정밀 파워서플라이와;제 2전극에 전원 스트레스를 공급하는 제2 정밀 파워서플라이와;상기 제1 전극과 제1 정밀 파워서플라이 사이에 연결되는 제1-1 릴레이와;상기 제2 전극과 제2 정밀 파워서플라이 사이에 연결되는 제2-1 릴레이와;상기 제1 전극과 제1-2 릴레이로 연결되고, 상기 제2 전극과 제 2-2 릴레이로 연결되어, 반도체 시험 중 시험소자의 전기적 특성 파라미터를 계측하는 반도체 분석기와;상기 시험소자의 제3 전극에 연결되어 상기 시험소자의 누설전류를 측정하는 전류센싱회로와;상기 전류센싱회로의 측정 누설전류를 통해 기준 설정값 이상의 전류가 흐르면 상기 제1-1 릴레이 및/또는 제1-2 릴레이에 접속 차단신호를 전달하는 마이컴과;상기 마이컴와 통신 연결되어 상기 마이컴에 릴레이 제어정보를 전달시키는 컴퓨터를; 포함하여 구성되며,상기 시험소자와; 시험소자의 제1 전극에 연결되는 제1-1, 제1-2 릴레이; 제2 전극에 연결되는 제2-1, 제2-2 릴레이; 제3 전극에 연결되는 전류센싱회로로 형성되는 단위 테스트 지그 및복수 개의 단위 테스트 지그를 상기 제1 정밀 파워서플라이와 제2 정밀 파워서플라이 및 마이컴에 병렬 연결시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치
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제1항에 있어서 상기 컴퓨터는상기 제1 정밀 파워서플라이, 제2 정밀 파워서플라이 및 반도체 분석기와 연결되어 작동 제어시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치
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제2항에 있어서 상기 컴퓨터는상기 반도체 분석기에서 측정된 단위 테스트 지그의 전기적 특성 파라미터가 미리 설정된 전기적 특성 파라미터 이상이 되면, 해당 단위 테스트 지그의 릴레이 제어정보를 출력하여 해당 단위 테스트 지그에 바이어스 전원을 차단시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치
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제3항에 있어서 상기 마이컴은상기 컴퓨터의 릴레이 제어정보와 상기 전류센싱회로의 센싱정보 중 어느 하나가 입력되면 상기 제1-1, 제2-1 릴레이에 off 신호를 출력시켜 해당 단위 테스트 지그에 바이어스 전원을 차단시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치
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제4항에 있어서 상기 마이컴에는타이머가 내장되어 테스트 시간 기록이 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치
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제5항에 있어서 상기 반도체 소자 신뢰성 시험장치는내부 온도를 제어하는 온도제어장치가 포함된 챔버에서 테스트 실행되며, 상기 컴퓨터는 상기 온도제어장치를 제어하여 테스트 환경을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치
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상기 제6항의 반도체 소자 신뢰성 시험장치 구동방법으로서, 제1 정밀 파워서플라이, 제2 정밀 파워서플라이, 반도체 분석기, 제1-1, 제1-2 릴레이 및 제2-1, 제2-2 릴레이를 off 시킨 초기화 상태에서 챔버의 온도를 설정하는 단계(S1)와; 마이컴로 각 단위 테스트 지그 시험소자의 제1 전극 및/또는 제2 전극에 바이어스 전원을 인가시키는 제어명령을 출력시키는 단계(S2)와; 상기 마이컴에서 각 단위 테스트 지그의 누설전류 측정값과 미리 설정된 허용전류값을 비교하는 단계(S3)와;상기 누설전류 측정값이 허용전류값 보다 크거나 같은 단위 테스트 지그가 발생되는 경우 해당 단위 테스트 지그의 바이어스 전원을 차단시키는 단계(S4);누설전류 측정값이 허용전류 설정값 보다 작은 경우, 측정시간과 미리 설정된 파라미터계측시간을 비교하는 단계(S5); 측정시간이 파라미터계측시간보다 작은 경우에는 상기 단계(S3)로 복귀하여 누설전류 측정값과 미리 설정된 허용전류값을 반복 비교되게 하는 단계(S6) 측정시간이 파라미터계측시간보다 같거나 큰 경우에 각 단위 테스트 지그의 제1-2 릴레이 및/또는 제2-2 릴레이 제어명령을 출력시켜, 반도체 분석기에서 각 단위 테스트 지그의 전기적 특성파라미터가 측정되게 하는 단계(S7); 전기적 특성파라미터와 미리 설정된 파라미터를 비교하는 단계(S8)전기적 특성파라미터가 미리 설정된 파라미터를 초과하는 단위 테스트 지그가 발생되는 경우 해당 단위 테스트 지그의 바이어스 전원을 차단시키는 단계(S9)전기적 특성파라미터가 미리 설정된 파라미터를 초과하지 않는 경우, 전체 바이어스 스트레스 시간이 미리 설정된 시험시간값을 초과하는지를 판단하는 단계(S10);전체 바이어스 스트레스 시간이 미리 설정된 시험시간값을 초과하지 않는 경우, 단계(S3)로 복귀하여 누설전류 측정값과 미리 설정된 허용전류값을 반복 비교되게 하는 단계(S11);전체 바이어스 스트레스 시간이 미리 설정된 시험시간값을 초과하는 경우, 각 단위 테스트 지그의 시험을 종료하는 단계(S12);를포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치 구동방법
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제7항에 있어서 상기 단계(S5)에서각 단위 테스트 지그의 파라미터계측시간은 각 단위 테스트 지그의 제1-2 릴레이 및/또는 제2-2 릴레이가 상기 반도체 분석기에 순차 연결되도록 독립 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치 구동방법
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제7항에 있어서 상기 단계(S4)와 상기 단계(S9)의 바이어스 전원 차단은상기 단계(S4)와 상기 단계(S9)가 동시에 실행될 때 수행되어 누설전류가 갑자기 증가하는 돌출 노이즈(spike noise)에 대비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치 구동방법
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제7항에 있어서 상기 단계(S4)의 바이어스 전원 차단은 상기 마이컴에 설정된 횟수 이상 연속적으로 불량 판단이 발생되는 것을 조건으로 실행되어 누설전류가 갑자기 증가하는 돌출 노이즈(spike noise)에 대비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 신뢰성 시험장치 구동방법
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