맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법 및 이를 통해 제조된 모놀리식 3차원 소자

  • 기술번호 : KST2022018273
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 다양한 실시예에는, 모놀리식 3차원(Monolithic 3D) 구조에 적용할 수 있는 새로운 결정화 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법은, 절연막이 형성된 하부 소자를 준비하는 단계; 상기 절연막 상에 비정질 실리콘계 층을 증착하는 단계; 상기 비정질 실리콘계 층 상에 쉐브론 패턴을 포함하는 마스크를 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘계 층을 쉐브론 패턴으로 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 비정질 실리콘계 층에 레이저를 조사하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3205 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) B23K 26/06 (2014.01.01) H01L 21/31 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02678(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02592(2013.01) H01L 21/32055(2013.01) H01L 21/32139(2013.01) B23K 26/06(2013.01) H01L 21/31(2013.01)
출원번호/일자 1020210012510 (2021.01.28)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0109169 (2022.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.28)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권혁준 대구광역시 수성구
2 정희재 경기도 화성
3 송총명 강원도 양구군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로**(서소문동, 정안빌딩*층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2021-0116412-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.03.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0088532-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0369515-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0654083-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2022-0654082-92
7 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2022-5178676-45
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2022.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0584308-97
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2022.09.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2022-0928640-63
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2022-0928639-16
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0684666-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연막이 형성된 하부 소자를 준비하는 단계;상기 절연막 상에 비정질 실리콘계 층을 증착하는 단계;상기 비정질 실리콘계 층 상에 쉐브론 패턴을 포함하는 마스크를 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘계 층을 쉐브론 패턴으로 패터닝하는 단계; 및상기 패터닝된 비정질 실리콘계 층에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 모놀리식 3차원(Monolithic 3D) 소자의 상부층 고결정화 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 패터닝하는 단계 이후,상기 패터닝된 비정질 실리콘계 층 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 캡핑층은 SiN, Si3N4 및 SiO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 캡핑층은 70 nm 내지 490 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 레이저를 조사하는 단계에서,상기 레이저는 상기 쉐브론 패턴에서 가장 작은 내각을 가지는 꼭지점에서 진행이 시작되는 것을 특징으로 하는 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 레이저 빔은 탑햇(Top-Hat) 또는 line 형태인 것을 특징으로 하는 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 패터닝하는 단계에서는 포토리소그래피 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 모놀리식 3차원 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 차세대지능형반도체기술개발(R＆D) 저온 공정 기반 실리콘계 M3D 고결정질 상부 소자층 형성 기술개발