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제1 전극;상기 제1 전극의 일면에 배치된 광검출층; 및상기 광검출층 상에 배치된 제2 전극;을 포함하고,상기 광검출층은 코어-쉘 구조를 갖는 양자점을 복수로 포함하는 양자점층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광센서
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제1항에 있어서,상기 양자점의 코어는 CdSe, CdTe, CdS, InP, ZnCdSe, PbS, PbSe, CGS, CIGS 및 CIS으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 광센서
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제1항에 있어서,상기 양자점의 쉘은 ZnS, CdS 및 ZnSe으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 광센서
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제1항에 있어서,상기 광검출층은 상기 양자점층과 제1 전극 사이에 배치된 제1 반도체층; 및상기 양자점층과 제2 전극 사이에 배치된 제2 반도체층;을 더 포함하는 것인 광센서
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제4항에 있어서,상기 제1 반도체층 또는 제2 반도체층은 각각 독립적으로, 밴드갭을 가지며 2차원 결정 구조를 갖는 2차원 반도체 물질, 실리콘을 포함하는 반도체 물질, 화합물 반도체 물질, 및 유기물 반도체 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 광센서
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제5항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질은 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 것인 광센서
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제6항에 있어서,상기 전이금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 티타늄(Ti), 및 레늄(Re) 중에서 적어도 하나를 포함하고; 및상기 칼코겐 원소는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것인 광센서
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제5항에 있어서,상기 제1 반도체층은 제1 도전형으로 도핑되고, 제2 반도체층은 제1 도전형과 전기적으로 반대인 제2 도전형으로 도핑되는 것인 광센서
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 또는 제2 반도체층의 두께는 각각 독립적으로 5nm 내지 30nm의 범위를 갖는 것인 광센서
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 또는 제2 전극은 각각 독립적으로, 금속, 그래핀, 투명 전도성 산화물, 및 투명 전도성 질화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 광센서
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 검출하고자 하는 파장 대역의 빛에 대해 투과성을 갖는 투명 전극인 광센서
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제1항에 있어서,상기 제1 전극의 타면에 배치된 기재를 더 포함하는 것인 광센서
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