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헥토라이트 나노 판형 입자 및 상기 헥토라이트 나노 판형 입자의 표면에 결합된 양이온성 계면활성제를 포함하는 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체; 및적어도 일부에 음이온성 작용기를 포함하는 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴;을 포함하고,상기 양이온성 계면활성제와 상기 음이온성 작용기의 정전기적 상호작용을 통해 유상과 수상의 계면에서 코아세르베이트 계면막을 형성하는, 코아세르베이트 계면막 형성용 복합체
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제1항에 있어서,상기 헥토라이트 나노 판형 입자는 40 내지 60nm 의 평균 입자 크기 및 8 nm 내지 10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는,코아세르베이트 계면막 형성용 복합체
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제1항에 있어서,상기 양이온성 계면활성제는 4차 알킬 암모늄 염을 포함하는 것을 특징으로 하는,코아세르베이트 계면막 형성용 복합체
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제3항에 있어서,상기 양이온성 계면활성제는 dimethyl dihydrogenated tallow ammonium ion(2M2HT), dimethyl benzyl (hydrogenated tallow) ammonium chloride (2MBHt), trimethyl (hydrogenated tallow) ammonium chloride (3MHt), benzyl dimethyl hydrogenated tallow ammonium ion(2MHTL8), tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetramethylammonium chloride(TMACl), tetrabutylammonium bromide (TBAB), tetrabutylammonium fluoride(TBAF) 및 benzyltrimethylammonium hydroxide (BTMAH) 로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,코아세르베이트 계면막 형성용 복합체
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제1항에 있어서,상기 음이온성 작용기는 치환 또는 비치환의 카르복실기(-COOH, -COONa) 및 하이드록시메틸기(-CH2OH)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,코아세르베이트 계면막 형성용 복합체
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제1항에 있어서,상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴 중 적어도 일부는 코아세르베이트 계면막을 관통하여 유상에 존재하는 것을 특징으로 하는,코아세르베이트 계면막 형성용 복합체
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서로 다른 액체인 분산상(dispersed phase)과 연속상(continuous phase); 및상기 분산상과 상기 연속상의 계면에 위치하여 이들 사이의 계면 장력을 낮춰주는 코아세르베이트 계면막을 형성하는 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체와 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴을 포함하고,상기 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체는, 헥토라이트 나노 판형 입자 및 상기 헥토라이트 나노 판형 입자의 표면에 결합된 양이온성 계면활성제를 포함하고,상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴은 적어도 일부에 음이온성(anionic) 작용기를 포함하고,상기 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체는 유상과 접촉하도록 배치되고 상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴은 수상과 접촉하도록 배치되며, 상기 양이온성 계면활성제와 상기 음이온성 작용기 사이의 정전기적 상호작용에 의해 상기 코아세르베이트 계면막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 피커링 에멀젼
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제7항에 있어서,상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴 중 적어도 일부는 코아세르베이트 계면막을 관통하여 유상에 존재하는 것을 특징으로 하는,피커링 에멀젼
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헥토라이트의 표면에 양이온성 계면활성제를 그라프팅하는 단계;양이온성 계면활성제가 그라프팅된 헥토라이트를 박리시켜 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체를 제조하는 단계; 및상기 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체가 분산된 분산액과 적어도 일부에 음이온성(anionic) 작용기를 포함하는 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴을 포함하는 수용액을 혼합하여 균질화시키는 단계;를 포함하는,피커링 에멀젼 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체는 분산액 대비 0
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제9항에 있어서,상기 양이온성 계면활성제는 4차 알킬 암모늄 염을 포함하는 것을 특징으로 하는,피커링 에멀젼 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 헥토라이트의 표면에 양이온성 계면활성제를 그라프팅하는 단계는,헥토라이트의 층간 무기 양이온을 양이온성 계면활성제로 이온 교환하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,피커링 에멀젼 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴은,박테리아 셀룰로오스를 TEMPO 산화 처리하는 단계; 및TEMPO 산화 처리된 셀룰로오스에 초음파를 인가하여 상기 박테리아 셀룰로오스의 나노피브릴을 분산시키는 단계;를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는,피커링 에멀젼 제조 방법
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서로 다른 액체인 분산상(dispersed phase)과 연속상(continuous phase);상기 분산상과 상기 연속상의 계면에 위치하여 이들 사이의 계면 장력을 낮춰주는 코아세르베이트 계면막을 형성하는 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체와 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴; 및상기 분산상 내부에 함유된 활성 성분;을 포함하고,상기 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체는, 헥토라이트 나노 판형 입자 및 상기 헥토라이트 나노 판형 입자의 표면에 결합된 양이온성 계면활성제를 포함하고,상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴은 적어도 일부에 음이온성(anionic) 작용기를 포함하고,상기 양이온성 헥토라이트 나노 판형 입자 구조체는 유상과 접촉하도록 배치되고 상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴은 수상과 접촉하도록 배치되며, 상기 양이온성 계면활성제와 상기 음이온성 작용기 사이의 정전기적 상호작용에 의해 상기 코아세르베이트 계면막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 화장품 또는 약물 전달 조성물
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제14항에 있어서,상기 음이온성 셀룰로오스 나노피브릴 중 적어도 일부는 코아세르베이트 계면막을 관통하여 유상에 존재하는 것을 특징으로 하는,화장품 또는 약물 전달 조성물
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