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투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널로서,기판 상에 소정의 제1 배열 구조로 복수개의 화소가 배열되고, 각 화소마다 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터를 스위칭하는 스위칭 박막트랜지스터를 포함하는 화소 발광부가 마련되는 유기발광다이오드 패널; 및상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 투명창을 포함하고, 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 대응하도록 각 화소 투명창이 배치되는 투명창;을 포함하고,상기 구동 박막트랜지스터는 상기 기판 상의 제1 채널층, 상기 제1 채널층 상에 적층되는 제1 절연층, 상기 제1 채널층 상에 절연되게 형성되는 제1 게이트층, 상기 제1 게이트층을 덮는 제1 층간 절연층, 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 형성되는 제2 층간 절연층, 및 상기 제1 채널층에 전기적으로 연결되는 제1 드레인 전극과 제1 소스 전극을 포함하고,상기 스위칭 박막트랜지스터는 상기 기판 상의 제2 채널층, 상기 제2 채널층 상에 절연되게 형성되는 제2 게이트층, 및 상기 제2 채널층에 전기적으로 연결되는 제2 드레인 전극과 제2 소스 전극을 포함하고,상기 제2 채널층은 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되고, 상기 제2 게이트층은 상기 제2 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 층간 절연층은 상기 제2 게이트층을 덮도록 형성되고,상기 화소 투명창은 상기 기판 상에 적층되는 제1 투명 절연층, 상기 제1 투명 절연층 상에 적층되는 제1 투명 층간 절연층, 상기 제1 투명 층간 절연층 상에 적층되는 제2 투명 절연층, 및 상기 제2 투명 절연층 상에 적층되는 제2 투명 층간 절연층을 포함하고,상기 제1 절연층과 상기 제1 투명 절연층은 동일한 제1 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 절연층과 상기 제2 투명 절연층은 동일한 제2 절연 물질로 이루어지고, 상기 제1 층간 절연층과 상기 제1 투명 층간 절연층은 동일한 제3 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 층간 절연층과 상기 제2 투명 층간 절연층은 동일한 제4 절연 물질로 이루어지고,상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 태양전지를 포함하고, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 대응하도록 각 화소 태양전지가 배치되는 태양 전지;를 더 포함하고,상기 화소 태양전지는 상기 기판 상의 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 적층되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 이종 접합 구조로 적층되는 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 적층되는 제2 전극층을 포함하고,상기 복수개의 화소에 마련되는 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 태양전지 및 상기 복수개의 화소 투명창은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열되고,상기 화소 발광부는 상기 화소 영역 내의 제1 영역에 배치되고,상기 화소 태양전지는 상기 화소 영역 내의 모서리 영역에 해당하는 제2 영역에 배치되고,상기 화소 투명창은 상기 화소 영역 내의 제3 영역에 배치되고,상기 제2 영역은 상기 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역과 중첩되지 않는 영역이고,상기 제3 영역은 상기 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 중첩되지 않는 영역이고,반사 물질로 이루어지고 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 거울창을 포함하고, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 거울창이 배치되는 거울창;을 더 포함하고,상기 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 거울창은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열되고,상기 화소 거울창은 상기 화소 영역 내의 제4 영역에 배치되고,상기 제4 영역은 상기 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역과 중첩되지 않는 영역이고,상기 화소 거울창은 상기 기판 상에 적층되는 하부 투명 절연층, 상기 하부 투명 절연층 상에 적층되는 하부 투명 층간 절연층, 상기 하부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 상부 투명 절연층, 상기 상부 투명 절연층 상에 적층되는 상부 투명 층간 절연층, 및 상기 상부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 반사 물질로 이루어지는 반사층을 포함하고,상기 화소 발광부의 상기 제1 채널층과 상기 화소 태양전지의 상기 제1 반도체층은 동시에 적층되어 생성되고,상기 화소 발광부의 상기 제2 채널층과 상기 화소 태양전지의 상기 제2 반도체층은 동시에 적층되어 생성되고,상기 화소 발광부의 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 스위칭 박막트랜지스터의 반도체층인 두 채널층에 사용되는 동일 재료가 상기 화소 태양전지의 N-형 반도체 물질 및 P-형 반도체 물질로 적용되어 하이브리드 P-N 접합이 형성되고,상기 제1 절연층 및 상기 화소 투명창의 상기 제1 투명 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,상기 화소 발광부의 상기 제1 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제1 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 하부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,상기 제2 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,상기 제2 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되는, 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널
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청구항 1의 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 제조하는 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법으로서,기판 상에 제1 배열 구조로 복수개의 화소가 배열되도록 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 투명창을 형성하되, 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 대응하도록 각 화소 투명창을 배치하여 투명창을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는:상기 기판 상에 상기 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 스위칭 박막트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계는:상기 기판 상에 제1 채널층을 적층하는 단계;상기 제1 채널층 상에 제1 절연층을 적층하는 단계;상기 제1 채널층 상에 절연되도록 제1 게이트층을 형성하는 단계;상기 제1 게이트층을 덮는 제1 층간 절연층을 적층하는 단계;상기 제1 층간 절연층 상에 제2 절연층을 적층하는 단계;상기 제2 절연층 상에 제2 층간 절연층을 적층하는 단계; 및상기 제1 채널층에 전기적으로 연결되도록 제1 드레인 전극과 제1 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 스위칭 박막트랜지스터를 형성하는 단계는:상기 기판 상에 제2 채널층을 적층하는 단계;상기 제2 채널층 상에 절연되게 제2 게이트층을 형성하는 단계; 및상기 제2 채널층에 전기적으로 연결되도록 제2 드레인 전극과 제2 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제2 채널층은 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되고, 상기 제2 게이트층은 상기 제2 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 층간 절연층은 상기 제2 게이트층을 덮도록 형성되고,상기 투명창을 형성하는 단계는:상기 기판 상에 제1 투명 절연층을 적층하는 단계;상기 제1 투명 절연층 상에 제1 투명 층간 절연층을 적층하는 단계;상기 제1 투명 층간 절연층 상에 제2 투명 절연층을 적층하는 단계; 및상기 제2 투명 절연층 상에 제2 투명 층간 절연층을 적층하는 단계;를 포함하고,상기 제1 절연층과 상기 제1 투명 절연층은 동일한 제1 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 절연층과 상기 제2 투명 절연층은 동일한 제2 절연 물질로 이루어지고, 상기 제1 층간 절연층과 상기 제1 투명 층간 절연층은 동일한 제3 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 층간 절연층과 상기 제2 투명 층간 절연층은 동일한 제4 절연 물질로 이루어지고,상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 태양전지가 배열되도록 태양 전지를 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는 각 화소마다 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터를 스위칭하는 스위칭 박막트랜지스터를 포함하는 화소 발광부가 마련되도록 상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계를 포함하고,상기 태양 전지를 형성하는 단계는 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 대응하도록 각 화소 태양전지가 배치되도록 상기 태양 전지를 형성하는 단계를 포함하고,상기 태양 전지를 형성하는 단계는:상기 기판 상에 제1 전극층을 적층하는 단계;상기 제1 전극층 상에 제1 반도체층을 적층하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 이종 접합 구조로 제2 반도체층을 적층하는 단계; 및상기 제2 반도체층 상에 제2 전극층을 적층하는 단계;를 포함하고,상기 제1 절연층을 적층하는 단계와 상기 제1 투명 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,상기 제2 절연층을 적층하는 단계와 상기 제2 투명 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,상기 제1 층간 절연층을 적층하는 단계와 상기 제1 투명 층간 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,상기 제2 층간 절연층을 적층하는 단계와 상기 제2 투명 층간 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,상기 제1 채널층을 적층하는 단계와 상기 제1 반도체층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,상기 제2 채널층을 적층하는 단계와 상기 제2 반도체층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,상기 화소 거울창은 상기 기판 상에 적층되는 하부 투명 절연층, 상기 하부 투명 절연층 상에 적층되는 하부 투명 층간 절연층, 상기 하부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 상부 투명 절연층, 상기 상부 투명 절연층 상에 적층되는 상부 투명 층간 절연층, 및 상기 상부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 반사 물질로 이루어지는 반사층을 포함하고,상기 화소 발광부의 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 스위칭 박막트랜지스터의 반도체층인 두 채널층에 사용되는 동일 재료가 상기 화소 태양전지의 N-형 반도체 물질 및 P-형 반도체 물질로 적용되어 하이브리드 P-N 접합이 형성되고,상기 화소 발광부의 상기 제1 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제1 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 하부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,상기 제2 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,상기 제2 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되는, 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법
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