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자발광 소자에 적용되는 광전자 장치에 있어서,제1 반사체층;상기 제1 반사체층 상에 형성되는 활성 캐비티층;상기 활성 캐비티층 상에 형성되는 제2 반사체층;상기 제2 반사체층 상에 형성되는 외부 캐비티층;상기 외부 캐비티층 상에 형성되는 제3 반사체층; 및상기 제3 반사체층 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하고,상기 제1 반사체층 및 상기 제2 반사체층에 대응하는 제1 마이크로 캐비티와 상기 제2 반사체층 및 상기 제3 반사체층에 대응하는 제2 마이크로 캐비티를 발생시키는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 활성 캐비티층은 유기나 무기 발광 물질들을 포함하고,상기 외부 캐비티층은 유기나 무기 패시베이션 물질들을 포함하는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 반사체층은 금, 은 및 알루미늄 중 적어도 하나를 포함하는 금속성 전극 물질, 상기 금, 상기 은 및 상기 알루미늄의 합금 물질 및 메타물질 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제2 반사체층 및 상기 제3 반사체층은 은을 포함하는 반투명 전극 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제3항에 있어서,상기 제1 반사체층의 두께는 100 nm 이상이고,상기 제2 반사체층의 두께는 1 nm 내지 30 nm이며,상기 제3 반사체층의 두께는 1 nm 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 마이크로 캐비티는 광학 특성과 전기적 특성을 고려하여 1차 공진 모드로 설계되고,상기 제2 마이크로 캐비티는 가시광 영역에서 다중 피크들을 형성하기 위해 다중 공진 모드들로 설계되는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제5항에 있어서,상기 다중 공진 모드들은 상기 외부 캐비티층의 두께의 변화에 기반하여 유효 광학 거리에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 활성 캐비티층은 상기 자발광 소자 내에서 1차 공진 현상에 따른 광을 발생시키고, 상기 발생된 광은 상기 제2 반사체층을 통해 상기 외부 캐비티층으로 전파되는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제7항에 있어서,상기 외부 캐비티층은 상기 전파된 광에 2차 공진 현상을 반영하고,상기 2차 공진 현상은 다중 공진 모드들의 수와 외부로 추출되는 광 스펙트럼의 특성과 관련되는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제8항에 있어서,상기 2차 공진 현상이 반영되어 상기 외부 캐비티층에서 결정된 특정한 공진 파장이 상기 활성 캐비티층의 공진 파장과 동일할 경우, 상기 특정한 공진 파장에서 광의 세기가 증가되도록 제어되고, 상기 활성 캐비티층의 공진 파장과 상기 특정한 공진 파장을 조절함으로써 공진 파장의 광 세기를 제어하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치
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제8항에 있어서,상기 다중 공진 모드들의 수는 상기 외부 캐비티층의 두께가 증가함에 따라 증가되는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제10항에 있어서,상기 외부 캐비티층은 상기 증가된 다중 공진 모드들의 수에 기반하여 특정한 공진 파장을 중심으로 다수의 피크들을 형성하는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제11항에 있어서,상기 외부 캐비티층은 상기 외부 캐비티층에 발생되는 상기 증가된 다중 공진 모드들 중 일부 공진 모드를 제어하는 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제12항에 있어서,상기 광흡수층은 Cr, W, Ni, Ti 및 Ge 중 적어도 하나의 광 흡수 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 활성 캐비티층은 제1 활성 캐비티층, 제2 활성 캐비티층 및 제3 활성 캐비티층을 포함하고,상기 제1 활성 캐비티층, 상기 제2 활성 캐비티층 및 상기 제3 활성 캐비티층 각각은 서로 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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제14항에 있어서,상기 제1 활성 캐비티층은 600 nm 내지 700 nm의 공진 파장에서 광범위하게 피크와 폭이 좁은 스펙트럼을 나타내고,상기 제2 활성 캐비티층은 500 nm 내지 600 nm의 공진 파장에서 광범위하게 피크와 폭이 좁은 스펙트럼을 나타내며,상기 제3 활성 캐비티층은 400 nm 내지 500 nm의 공진 파장에서 광범위하게 피크와 폭이 좁은 스펙트럼을 나타내는 것을 특징으로 하는광전자 장치
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