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병솔 고분자를 포함하는, 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막으로서, 상기 병솔 고분자는 단일중합체 또는 공중합체이고,상기 단일중합체 및 상기 공중합체는 사이드 체인 내에 가교 작용기를 포함하는,트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막
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제 1 항에 있어서, 상기 단일중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막:[화학식 1],상기 화학식 1에서 x는 10 내지 500,a는 5 내지 20, b는 2 또는 3이고, R1은 가교 작용기를 포함하는 것으로서 , , , , 및 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, n은 5 내지 40이고,R2는 탄소수 1 내지 10의 분지형 또는 선형 알킬기임
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제 1 항에 있어서,상기 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 것인, 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막:[화학식 2],상기 화학식 2에서 x'는 5 내지 200, a'는 5 내지 20, b'는 2 또는 3이고, R1'은 가교 작용기를 포함하는 것으로서 , , , , 및 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, n'은 5 내지 40이고,R2'는 탄소수 1 내지 10의 분지형 또는 선형 알킬기이고,y는 5 내지 200이고, c는 5 내지 20이고,R3는 , , , 및 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, m은 5 내지 40이고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 분지형 또는 선형 알킬기임
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제 1 항에 있어서, 상기 단일중합체의 가교 작용기 밀도는 25 내지 7500이고,상기 단일중합체의 가교 작용기 밀도는 상기 단일중합체의 1 반복 단위당 가교 작용기 수 및 중합도의 곱으로 표현되는 것인, 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막
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제 1 항에 있어서, 상기 공중합체의 가교 작용기 밀도는 25 내지 6000이고,상기 공중합체의 가교 작용기 밀도는 상기 공중합체의 1 반복 단위당 가교 작용기 수 및 중합도의 곱으로 표현되는 것인, 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 가교 작용기 밀도가 증가될수록 상기 단일중합체 또는 상기 공중합체의 열 가교 시간은 감소되는 것인, 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막
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제 1 항에 있어서,상기 병솔 고분자 박막은 RMS(root-mean-square) 거칠기 값이 0
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제 1 항에 따른 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막을 포함하는, 유기전계효과트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 유기전계효과트랜지스터는 하부-게이트 하부-전극 형, 하부-게이트 상부-전극 형, 상부-게이트 하부-전극 형, 및 상부-게이트 하부-전극 형 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 유기전계효과트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 유기전계효과트랜지스터의 평균 전하 이동도는 1x10-8 cm2/Vs 내지 100 cm2/Vs인 것인, 유기전계효과트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 유기전계효과트랜지스터는 상기 트랜지스터 게이트절연층용 고분자 박막의 보호막 효과로 인하여 수명이 증가된 것인, 유기전계효과트랜지스터
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