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식각 대상을 지지하는 기판 지지대가 내부에 배치된 반응 공간부, 플라즈마 발생부 및 상기 반응 공간부와 상기 플라즈마 발생부 사이에 배치되고, 순차적으로 적층된 제1 내지 제3 그리드를 구비하는 그리드부를 포함하는 식각 장치를 이용한 건식 식각 방법에 있어서, 상기 플라즈마 발생부로부터 발생된 제1 플라즈마에 포함된 제1 라디칼을 상기 식각 대상의 표면에 흡착하는 제1 단계 및상기 플라즈마 발생부로부터 발생된 제2 플라즈마로부터 추출된 이온빔을 상기 라디칼이 흡착된 상기 식각 대상의 표면에 조사하여 상기 식각 대상의 표면 원자층을 탈착시키는 제2 단계를 포함하고, 상기 제1 단계에서,상기 제1 내지 제3 그리드 중 선택된 하나 또는 둘에는 상기 제1 플라즈마의 전위보다 큰 양의 전위가 그리고 나머지에는 그라운드 전위가 인가되고,상기 기판 지지대에는 상기 제3 그리드의 전위와 같거나 낮은 음의 전위가 인가되는 것을 특징으로 하는,건식 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계 이후,상기 제2 플라즈마로부터 발생된 전자를 상기 식각 대상의 표면에 조사하여, 상기 식각 대상의 표면을 중성화시키는 제3 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는,건식 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 단계는, 상기 제1 및 제2 그리드에는 각각 독립적으로 플라즈마 전위 또는 그라운드보다 낮은 전위가 인가되고,상기 제3 그리드는 양의 전위를 인가되는 것을 특징으로 하는,건식 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계에서,상기 제1 그리드는 양의 전위, 상기 제2 그리드는 음의 전위, 상기 제3 그리드 및 기판 지지대는 그라운드 전위가 인가되는 것을 특징으로 하는,건식 식각 방법
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제2항에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 제1 그리드는 그라운드 전위가 인가되고,상기 제2 그리드 및 제3 그리드 각각에는 서로 독립적으로 그라운드 전위 또는 양의 전위가 인가되며, 상기 기판 지지대는 양의 전위가 인가되는 것을 특징으로 하는,건식 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 플라즈마는 반응성 가스를 이용하여 형성된 것인,건식 식각 방법
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제6항에 있어서,상기 반응성 가스는 H, F, Cl, Br, I 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것인,건식 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 플라즈마는 불활성 기체를 이용하여 형성된 것인,건식 식각 방법
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제8항에 있어서,상기 불활성 기체는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 및 제논(Xe)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인,건식 식각 방법
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제2항에 있어서,상기 제2 및 제3 단계를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는,건식 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 건식 식각은 원자층 식각 또는 이온빔 식각인,건식 식각 방법
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