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자기 스커미온(skyrmion)의 핵 자화 반전 방법으로서,(a) 반구형 껍질(hemispherical shell) 상에 형성된 제1 스커미온을 준비하는 단계;(b) 제1 교류 자기장을 인가하여 제1 스커미온을 스커미오니윰(skyrmionium)으로 변환하는 단계;(c) 제2 교류 자기장을 인가하여 스커미오니윰을 제2 스커미온으로 변환하는 단계를 포함하는, 핵 자화 반전 방법
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제1항에 있어서,(a) 단계에서 반구형 껍질은,(1) 복수의 돌기를 갖는 막(membrane)을 준비하는 단계;(2) 막 상에 Pt, Ni, Pd 중 어느 하나를 포함하는 제1 층과, 강자성 물질을 포함하는 제2 층을 적층하는 단계;를 통해 제조하는, 핵 자화 반전 방법
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제2항에 있어서,(1) 단계의 막은 나노 다공성(porous membrane) 막 상에 구형 입자가 배치된 형태인, 핵 자화 반전 방법
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제1항에 있어서,반구형 껍질의 지름은 100nm 이하인(0 초과), 핵 자화 반전 방법
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제1항에 있어서,반구형 껍질의 곡률이 커질수록 스커미온의 안정성이 증가하는, 핵 자화 반전 방법
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제1항에 있어서,제1 스커미온의 스커미온수(skyrmion number)는 +1, 제2 스커미온의 스커미온수는 -1, 스커미오니윰의 스커미온수는 0인, 핵 자화 반전 방법
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제1항에 있어서,DMI(Dzyaloshinskii-Moriya Interaction) 상수는 0 이상 3
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제1항에 있어서,자기이방성 상수(Ku)는 0 초과 0
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제1항에 있어서,반구형 껍질 상에서, 유효 수직 자기 이방성(Keff)은 Keff = Ku - 1/2μ0Ms2 - Dint/R - Aex/R2,유효 DMI(Deff)는 Deff = Dint + 2Aex/R인 [Ku는 수직 자기 이방성 상수, Dint는 DMI 상수, Aex는 교환 강성(exchange stiffness), R은 반구형 껍질 반경],핵 자화 반전 방법
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제1항에 있어서,제1 교류 자기장과 제2 교류 자기장의 주파수는 상이한, 핵 자화 반전 방법
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제10항에 있어서,제1 교류 자기장과 제2 교류 자기장의 세기는 1,000 Oe 이하(0 초과)이고, 1MHz 내지 99GHz의 주파수를 가지는, 핵 자화 반전 방법
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제1항의 핵 자화 반전 방법을 이용한 정보 저장 소자
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