맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

인공계면층이 형성된 아연 금속 전극 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022023372
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 아연 금속과 14족 또는 15족에서 선택된 1종 이상의 물질과의 표준 환원 전위차를 이용한 치환 반응을 통해 인공계면층이 형성된 아연 금속 전극 및 그 제조 방법을 제조함으로써 제조공정이 쉽고 간단하며 아연 금속 음극과 전해질 간의 접촉 계면의 안정성을 향상시킬 수 있고, 아연 수상 돌기의 성장과 아연 금속의 부식 거동을 억제할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01) H01M 10/36 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01)
CPC H01M 4/049(2013.01) H01M 4/0497(2013.01) H01M 4/02(2013.01) H01M 10/36(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 2300/0005(2013.01)
출원번호/일자 1020210052099 (2021.04.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0145962 (2022.11.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.22)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박호석 경기도 용인시 기흥구
2 찌엉 빼이순 경기도 수원시 장안구
3 박재민 경기도 수원시 권선구
4 백상하 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2021-0469030-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연 금속을 준비하는 단계; 상기 아연 금속의 표면산화막을 제거하는 전처리 단계; 및상기 아연 금속 보다 표준 환원 전위가 크고 14족 또는 15족 물질을 포함하는 용액에 상기 전처리된 아연 금속을 투입하여 상기 아연 금속 표면에 인공계면층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인공계면층이 형성된 아연 금속 전극 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 전처리 단계에서, 상기 아연 금속의 표면산화막은 물리적인 마찰에 의해 제거 되거나 산 처리를 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 인공계면층이 형성된 아연 금속 전극 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 아연 금속 표면에 인공계면층을 형성하는 단계에서, 상기 아연 금속 보다 표준 환원 전위가 크고 14족 또는 15족에서 선택된 1종 이상의 물질과 아연 금속이 화학 치환 반응하여 상기 아연 금속 표면에 인공계면층을 형성하는 것을 특징으로 하는 인공계면층이 형성된 아연 금속 전극 제조방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 아연 금속 표면에 인공계면층을 형성하는 단계에서, 상기 화학 치환 반응은 자발적으로 진행 되는 것을 특징으로 하는 인공계면층이 형성된 아연 금속 전극 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 아연 금속 표면에 인공계면층을 형성하는 단계에서, 상기 인공계면층이 형성되는 반응은 20°C 내지 40°C인 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 인공계면층이 형성된 아연 금속 전극 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 아연 금속 표면에 인공계면층을 형성하는 단계에서, 상기 아연 금속 보다 표준 환원 전위가 큰 14족 또는 15족 원소 물질을 포함하는 용액의 농도는 0
7 7
아연 금속; 및상기 아연 금속 표면 상에 인공계면층을 포함하며, 상기 인공 계면층은 상기 아연 금속 보다 표준 환원 전위가 큰 14족 또는 15족에서 선택된 1종 이상 물질과 상기 아연 금속이 화학 치환된 것을 특징으로 하는 인공계면층이 형성된 아연 금속 전극
8 8
제 7항에 있어서
9 9
제 7항에 있어서
10 10
제 1항의 제조방법에 의해 제조된 아연 금속 전극을 포함하는 아연 이온 전지
11 11
제 10항에 있어서,상기 아연 이온 전지는 200 mA/g전류에서 정전류충반전 횟수가 400회 이상인 것을 특징으로 하는 아연 이온 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) (유형1)리더연구 1단계 1차년도 [통합EZ]2차원 엘리멘터리 표면 레독스 에너지저장 연구단