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블록 공중합체의 제1 폴리머 도메인 및 양자점(QD)을 포함하는, 코어;상기 블록 공중합체의 제2 폴리머 도메인 및 금속 나노입자를 포함하는, 하나 이상의 제1 쉘층; 및상기 블록 공중합체의 제1 폴리머 도메인 및 양자점을 포함하는, 하나 이상의 제2 쉘층;을 포함하고,상기 제1 쉘층은 상기 코어를 둘러싸고, 상기 제1 쉘층 및 상기 제2 쉘층은 교대로 층을 이루는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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제1항에 있어서,상기 블록 공중합체는, PS-b-PB, PS-b-P4VP, PS-b-P2VP, PS-b-PMMA, PS-b-PDMS 및 PS-b-PLA 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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제1항에 있어서,상기 블록 공중합체의 제1 폴리머 도메인 및 제2 폴리머 도메인은, 각각, 폴리스티렌(PS) 도메인, 폴리(4-비닐피리딘)(P4VP) 도메인, 폴리(2-비닐피리딘)(P2VP) 도메인, 폴리부타디엔(PB) 도메인, 폴리(메틸 메타크릴라이트)(PMMA) 도메인, 폴리디메틸실록산(PDMS) 도메인 또는 폴리락틴산(PLA) 도메인인 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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제1항에 있어서,상기 양자점은, Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정 및 IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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5
제1항에 있어서,상기 양자점은, CdSe 코어 및 ZnS 쉘을 포함하는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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6
제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는,금(Au), 은(Ag), 코발트(Co), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 셀레늄화카드뮴(CdSe)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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7
제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는, 표면에 고분자 리간드가 접목된 고분자-금속 나노입자인 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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8
제7항에 있어서,상기 고분자 리간드는, 폴리스티렌(PS), 폴리(4-비닐피리딘)(P4VP), 폴리(2-비닐피리딘)(P2VP), 폴리부타디엔(PB) 및 폴리(메틸 메타크릴라이트)(PMMA)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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9
제7항에 있어서,상기 고분자 리간드의 분자량에 따라 상기 하이브리드 입자에 포함된 고분자-금속 나노입자의 위치가 제어되는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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10
제1항에 있어서,상기 제1 쉘층은, 상기 금속 나노입자로 이루어진 육각형의 초격자 형태를 포함하는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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제1항에 있어서,상기 하이브리드 입자는,제1 용매 내에서 소광되고, 제2 용매 내에서 발광되는 것이고,상기 발광 및 상기 소광은 가역적으로 일어나는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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제11항에 있어서,상기 제1 용매는, 물을 포함하고,상기 제2 용매는, 알코올을 포함하는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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제11항에 있어서,상기 제1 용매 내에서, 양자점으로부터 금속 나노입자로 비방사에너지전달(NRET)이 발생하고,상기 제2 용매 내에서, 양자점으로부터 금속 나노입자로 비방사에너지전달(NRET)이 억제되는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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제11항에 있어서,상기 제2 용매 내에서, 블록공중합체의 제1 폴리머 도메인 및 제2 폴리머 도메인 중 하나 이상의 폴리머 도메인 팽창이 일어나는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자
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금속 나노입자 표면에 고분자 리간드가 접목된 고분자-금속 나노입자를 준비하는 단계;상기 고분자-금속 나노입자, 양자점, 블록 공중합체 및 유기 용매를 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액을 계면활성제 수용액에 첨가하여 에멀젼을 형성시키는 단계; 및상기 에멀젼을 건조하여 고분자-금속 나노입자, 양자점 및 블록 공중합체를 포함하는 하이브리드 입자를 형성시키는 단계;를 포함하는,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 고분자 리간드의 분자량에 따라 상기 하이브리드 입자에 포함된 고분자-금속 나노입자의 위치가 제어되는 것인,용매 감응성 형광 스위칭 하이브리드 입자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 고분자 리간드의 분자량이 6
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